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IGBT技術(shù)——半導體技術(shù)與封裝的完美匹配
本文討論了IGBT2、IGBT3 以及SEMITRANS模塊采用的新IGBT4 半導體技術(shù)之間的區(qū)別，并展示了在某些情況下新IGBT4技術(shù)所帶來的性能提升。
2008-10-23
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IGBT集成驅(qū)動模塊的研究
本文主要研究IGBT集成驅(qū)動模塊，首先闡述了IGBT驅(qū)動保護電路的原則，接著著重分析了EXB841、M57962AL、GH一039、HL402四類模塊的結(jié)構(gòu)和典型應(yīng)用，最后結(jié)合IR、UC37系列驅(qū)動器進行比較得出結(jié)論。
2008-10-17
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IGBT 在不間斷電源中的應(yīng)用
在UPS 中使用的功率器件有雙極型功率晶體管、功率MOSFET、可控硅和IGBT，IGBT 既有功率MOSFET 易于驅(qū)動，控制簡單、開關(guān)頻率高的優(yōu)點，又有功率晶體管的導通電壓低，通態(tài)電流大的優(yōu)點、使用IGBT 成為UPS 功率設(shè)計的首選，只有對IGBT的特性充分了解和對電路進行可靠性設(shè)計，才能發(fā)揮IGBT 的優(yōu)點。本文介紹UPS 中的IGBT 的應(yīng)用情況和使用中的注意事項。
2008-10-16
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IGCT門極驅(qū)動電路的原理分析
在目前的中電壓大功率應(yīng)用領(lǐng)域，占主導地位的功率半導體器件有晶閘管、GTO和IGBT等，這些傳統(tǒng)的功率器件在實用方面都存在一些缺陷。ABB半導體公司率先提出了一種新型功率半導體器件—IGCT。它的關(guān)鍵思想是將改進結(jié)構(gòu)的GTO與反并聯(lián)二極管和門極驅(qū)動電路集成在一起，再與其門極驅(qū)動器在外圍以低電感方式連接。在性能上明顯優(yōu)于目前廣泛使用的GTO和IGBT器件。著重對IGCT門極驅(qū)動電路的結(jié)構(gòu)和原理進行了介紹和分析。
2008-10-14
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IGBT驅(qū)動電路M57962L的剖析
IGBT是一種新型功率器件，即絕緣柵極雙極集體管(Isolated GateBipolar Transistor)，是上世紀末出現(xiàn)的一種復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式電力電子器件。它將GTR和MOSFET的優(yōu)點集于一身：輸入阻抗高，開關(guān)頻率高，工作電流大等，在變頻器、開關(guān)電源，弧焊電源等領(lǐng)域得到廣泛地應(yīng)用。M57962L采用+15V、- 10V雙電源供電，由于采用- 10V關(guān)斷電壓，能更可靠關(guān)斷，同時具有封閉性軟關(guān)斷功能，從而使IGBT更加安全的工作。
2008-10-11
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SPWM全橋逆變器輸出變壓器直流偏磁的抑制
分析了SPWM開關(guān)型變換器中輸出變壓器產(chǎn)生直流偏磁的機理。提出了一種基于電壓電流反饋控制技術(shù)抑制正弦波逆變器偏磁的方法，并提供了較為實用的拓撲電路，同時分析了它的工作機理。該電路的有效性在介質(zhì)阻擋強電離放電用IGBT全橋逆變電源中得到了驗證。
2008-10-07
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用于有源電力濾波器的IGBT驅(qū)動及保護研究
絕緣柵場效應(yīng)晶體管(IGBT)作為一種復(fù)合型器件，集成了MOSFET的電壓驅(qū)動和高開關(guān)頻率及功率管低損耗、大功率的特點，在電機控制、開關(guān)電源、變流裝置及許多要求快速、低損耗的領(lǐng)域中有著廣泛的應(yīng)用。本文對應(yīng)用于有源電力濾波器的IGBT的特性及其專有EXB84l型驅(qū)動器的設(shè)計進行討論，并提出一種具有完善保護功能的驅(qū)動電路。
2008-10-02
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用于功率變換器的IGBT驅(qū)動核心電路
用于IGBT功率模塊上的驅(qū)動電路必須能夠完成門極驅(qū)動和模塊保護功能。它們還必須能為控制部分和功率半導體之間提供電氣隔離，并滿足多種不同型號IGBT的驅(qū)動要求。為了滿足上述要求，必須對現(xiàn)有的門極驅(qū)動電路進行優(yōu)化。具體地說，就是必須在諸多因素如功能，靈活性以及性價比之間尋求最優(yōu)平衡，所幸的是，在新的門極驅(qū)動電路SKYPER中我們做到了這一點。
2008-10-01
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等離子體荷電噴霧逆變電源的研究
本文依據(jù)等離子體荷電噴霧的特點，以IGBT為核心器件，設(shè)計了脈寬調(diào)制型（PWM）15kHz高壓逆變電源，介紹了逆變電源主回路、PWM控制電路及過流保護回路。試驗結(jié)果表明：在噴霧中使用等離子體技術(shù)，不僅噴霧的特性達到了改善，而且還增加了霧滴的荷電數(shù)量。
2008-09-30
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中國功率器件市場增速放緩MOSFET是亮點
在中國中，電源|穩(wěn)壓器管理IC仍舊占據(jù)市場首要位置，MOSFET位于第二位，大功率晶體管位于第三位，此三大產(chǎn)品銷售額占整體市場的80%以上。IGBT銷售額雖然不大，但隨著其在工業(yè)控制、消費電子領(lǐng)域中應(yīng)用的不斷增多，其市場銷售額保持著較快的增長，是中國功率器件市場中的新興產(chǎn)品。
2008-09-24
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ACPL-33xJ系列：安華高智能型門極驅(qū)動光電耦合器產(chǎn)品
Avago推出最新的智能型門極驅(qū)動光電耦合器產(chǎn)品，ACPL-333J和ACPL-330J系列高速IGBT光電耦合器。它們非常容易集成到工業(yè)變頻器和電源管理等應(yīng)用，例如隔離式IGBT/MOSFET門極驅(qū)動、交流和無刷直流電機驅(qū)動、工業(yè)變頻器以及不間斷電源等。
2008-08-26
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STGxL6NC60D：意法半導體新款IGBT系列
意法半導體推出一系列新的IGBT，新系列產(chǎn)品采用高效的壽命控制工藝，有效降低了關(guān)斷期間的能耗。如果設(shè)計工程師采用ST的全新IGBT,用于工作頻率超過20kHz的照明鎮(zhèn)流器等節(jié)能型電路內(nèi)，應(yīng)用的整體功率可望提高到一個新的水平，遠勝標準技術(shù)的MOSFET。
2008-05-13
- 利用運動喚醒功能優(yōu)化視覺系統(tǒng)的功耗
- 宜普電源轉(zhuǎn)換公司勝訴，美國國際貿(mào)易委員會終裁確認英諾賽科侵權(quán)
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