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安森美和極氪簽署碳化硅功率器件長期供應協(xié)議
2023 年 4 月 26日—智能電源和智能感知技術的領導者安森美（onsemi，美國納斯達克上市代號：ON）和豪華智能純電品牌極氪智能科技（ZEEKR）宣布雙方簽署長期供應協(xié)議（LTSA）。安森美將為極氪提供EliteSiC碳化硅（SiC）功率器件，以提高其智能電動汽車（EV）的能效，從而提升性能，加快充電速度，延長續(xù)航里程。
2023-05-03
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安森美向海拉交付第10億顆感應傳感器IC
智能電源和智能感知技術的領導者安森美（onsemi，美國納斯達克上市代號：ON）宣布，已向海拉（HELLA）交付第10億顆感應傳感器接口集成電路（IC），海拉是一家國際汽車零部件供應商，也是佛瑞亞（FORVIA）集團旗下公司。這顆由安森美設計的IC被用于海拉的汽車線控系統(tǒng)非接觸型感應位置傳感器（CIPOS?）技術。在長達25年的合作中，兩家公司開發(fā)的創(chuàng)新設計縮小了海拉模塊和安森美IC的尺寸，以更好地適配對模塊外形尺寸有著高要求的應用。
2023-05-03
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總結肖特基勢壘二極管對寬帶隙材料的利用
由于碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN) 等寬帶隙材料具有優(yōu)于硅 (Si) 的固有材料特性，因此工業(yè)界采用寬帶隙材料來滿足功率器件應用中的低功耗需求。這種需求導致了基于 SiC 和 GaN 的 SBD 的制造。
2023-04-29
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如何控制無刷直流電機
無刷直流（BLDC）電機已經廣泛應用于家用電器、工業(yè)設備和汽車等領域。相對于傳統(tǒng)有刷電機，雖然無刷直流電機能夠提供更可靠和免維護的替代方案，但卻需要更復雜的電子設備來進行驅動。本文將探討驅動無刷直流電機的多種不同技術、傳感器方案以及使用的流行算法。此外，還將介紹一些來自領先供應商的電機驅動器IC以及合適的開發(fā)和原型設計資源。
2023-04-28
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獨立式有源EMI濾波器IC如何縮小共模濾波器尺寸
功率密度是汽車車載充電器和服務器電源等高度受限系統(tǒng)環(huán)境中的主要指標。務必要減小電磁干擾 (EMI) 濾波器元件的體積，從而確保解決方案能夠滿足嚴苛的外形尺寸要求。
2023-04-26
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納芯微模擬IC在光伏系統(tǒng)中的一站式解決方案
近年來，可再生能源已成為全球能源革命和應對氣候變化的主導方向和一致行動，光伏作為重要的可再生能源發(fā)電技術正在快速發(fā)展，成為清潔、低碳并具有價格競爭力的能源形式。
2023-04-26
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采用SiC MOSFET的3kW圖騰柱無橋PFC和次級端穩(wěn)壓LLC電源
節(jié)能標準和客戶需求正在推動更高效率和更小尺寸的電源解決方案，對標準ACDC電源進行功率因數(shù)校正 (PFC) 的要求日益普遍，通過減少諧波含量引起的電力線損耗，從而降低對交流電網基礎設施的壓力。而設計緊湊高效的 PFC 電源是一個復雜的開發(fā)挑戰(zhàn)。
2023-04-26
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560V輸入、無光隔離反激式轉換器
在傳統(tǒng)的隔離式高壓反激式轉換器中，使用光耦合器將穩(wěn)壓信息從副邊基準電壓源電路傳輸?shù)匠跫墏?，從而實現(xiàn)嚴格的穩(wěn)壓。問題在于，光耦合器大大增加了隔離設計的復雜性：存在傳播延遲、老化和增益變化，所有這些都使電源環(huán)路補償復雜化，并可能降低可靠性。此外，在啟動期間，需要泄放電阻或高壓啟動電路來初始為IC上電。除非在啟動元件上增加額外的高壓MOSFET，否則泄放電阻器是造成不受歡迎的功率損耗的來源。
2023-04-25
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Auto Accessories以及BMS的保護設計
隨著汽車功能的豐富，USB2.0/3.0、電源輸入口、按鍵、SD卡槽等被廣泛應用。由于以下幾點，ESD、突入電流、拋負載以及負載短路等成為了硬件設計人員關注要點。例如，干燥季節(jié)，靜電通過這些接口破壞IC或設備中的任何其他ESD敏感器件；設備電源的開關，汽車啟停以及人員的誤操作等產生的突入電流對電路構成威脅，導致某些部件故障的發(fā)生等。另外，針對BMS系統(tǒng)，電路過電流、鋰電池過電流和電路EFT/尖峰均可能會損壞電路中的電子器件。
2023-04-24
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超共源共柵簡史
盡管寬帶隙半導體已在功率開關應用中略有小成，但在由 IGBT 占主導的高電壓/高功率領域仍未有建樹。然而，使用 SiC FET 的 “超共源共柵” 將打破現(xiàn)有局面。讓我們一起來了解超共源共柵的歷史，并探討如何將其重新用于優(yōu)化現(xiàn)代設計。
2023-04-24
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SiC MOSFET的短溝道效應
Si IGBT和SiC溝槽MOSFET之間有許多電氣及物理方面的差異，Practical Aspects and Body Diode Robustness of a 1200V SiC Trench MOSFET 這篇文章主要分析了在SiC MOSFET中比較明顯的短溝道效應、Vth滯回效應、短路特性以及體二極管的魯棒性。直接翻譯不免晦澀難懂，不如加入自己的理解，重新梳理一遍，希望能給大家?guī)砀嘤袃r值的信息。今天我們著重看下第一部分——短溝道效應。
2023-04-24
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OBC充電器中的SiC FET封裝小巧，功能強大
EV 車載充電器和表貼器件中的半導體電源開關在使用 SiC FET 時，可實現(xiàn)高達數(shù)萬瓦特的功率。我們將了解一些性能指標。
2023-04-23
- 利用運動喚醒功能優(yōu)化視覺系統(tǒng)的功耗
- 宜普電源轉換公司勝訴，美國國際貿易委員會終裁確認英諾賽科侵權
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