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SiC MOSFET真的有必要使用溝槽柵嗎？
眾所周知，“挖坑”是英飛凌的祖?zhèn)魇炙嚒Ｔ诠杌a(chǎn)品時代，英飛凌的溝槽型IGBT（例如TRENCHSTOP系列）和溝槽型的MOSFET就獨步天下。在碳化硅的時代，市面上大部分的SiC MOSFET都是平面型元胞，而英飛凌依然延續(xù)了溝槽路線。難道英飛凌除了“挖坑”，就不會干別的了嗎？非也。因為SiC材料獨有的特性，SiC MOSFET選擇溝槽結(jié)構(gòu)，和IGBT是完全不同的思路。咱們一起來捋一捋。
2023-01-27
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SIMO PMIC：為可穿戴設(shè)備電源設(shè)計打開方便之窗！
我們生活在一個被電子設(shè)備包裹的時代，這些設(shè)備使我們的學(xué)習(xí)、工作、鍛煉、旅行和交流等變得非常方便，尤其是可穿戴設(shè)備正在成為人們?nèi)粘Ｉ钪胁豢苫蛉钡囊徊糠?。在醫(yī)療應(yīng)用中，可穿戴設(shè)備可用于監(jiān)測心率、血壓、血氧水平、運動中燃燒的卡路里、睡眠跟蹤等。為了提供更好的用戶體驗，高性能、小尺寸和低功耗是這些可穿戴設(shè)備的關(guān)鍵指標(biāo)。當(dāng)然，要想全部實現(xiàn)這些目標(biāo)通常需要在電路設(shè)計中進(jìn)行一些權(quán)衡，比如為了滿足特定的功耗目標(biāo)，設(shè)計者就必須增加設(shè)備的尺寸。那么，有沒有辦法可以在不增加這些電池供電設(shè)備尺寸的情況下又能有效延長電池壽命呢？
2023-01-20
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太空互聯(lián)網(wǎng)：大容量、低延遲LEO衛(wèi)星用戶和地面終端中的RFIC進(jìn)展
衛(wèi)星通信(satcom)是一種成熟的語音、視頻和數(shù)據(jù)傳輸方式，在所有主要軌道（包括地球同步赤道軌道GEO、中地球軌道MEO和LEO）上廣泛使用。衛(wèi)星通信被認(rèn)為是傳輸GPS導(dǎo)航信號、天氣信息、電視廣播、語音、數(shù)據(jù)的有效手段，同時也用于成像和科學(xué)應(yīng)用。承諾提供高速互聯(lián)網(wǎng)連接的新一波計劃已經(jīng)圍繞LEO衛(wèi)星星座展開，它將為下一代互聯(lián)網(wǎng)通信提供低延遲、高容量的寬帶連接。
2023-01-19
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帶休眠國產(chǎn)CAN收發(fā)器SIT1043Q網(wǎng)絡(luò)故障診斷原理及應(yīng)用
CAN總線學(xué)名控制器局域網(wǎng)，本身就是為了控制汽車而開發(fā)的。因為其數(shù)據(jù)傳輸速度快抗干擾能力強(qiáng)，目前已經(jīng)成為了最為主流的汽車總線。對于汽車來說，CAN總線就是它的神經(jīng)系統(tǒng)。這個系統(tǒng)一般由很多ECU節(jié)點組成的控制單元，每個ECU節(jié)點都有自己的故障檢測功能，基本上每個ECU都有一塊EEPROM，用來存儲自身故障信息，然后還會上傳到網(wǎng)關(guān)的EEPROM，并以診斷故障碼（Diagnose trouble code）的形式存儲。車載CAN網(wǎng)絡(luò)診斷系統(tǒng)框圖如圖1所示，為保障車輛行車安全，ECU應(yīng)當(dāng)能夠進(jìn)行故障自檢，DTC(Diagnostic Trouble Code 診斷故障代碼)為不同故障所對應(yīng)的“數(shù)字碼”，當(dāng)汽車神經(jīng)系統(tǒng)產(chǎn)生故障后，利用診斷儀可以讀取出DTC，從而可以判斷具體的故障，幫助問題排查，及時鎖定故障點，并準(zhǔn)確的排查出對應(yīng)故障點的問題并予以解決，保護(hù)生命及交通安全。鑒于以上功能需求，芯力特電子開發(fā)的第三代國產(chǎn)SIT1043Q CAN收發(fā)器在實現(xiàn)自身低功耗的同時，也具有網(wǎng)絡(luò)故障診斷功能，下面一起來看看SIT1043Q網(wǎng)絡(luò)故障診斷實現(xiàn)原理。
2023-01-19
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制作RF設(shè)計原型的更好方法--使用X-Microwave
對于RF設(shè)計，典型的原型制作經(jīng)驗是這樣的：為信號鏈中的每個元器件購買評估板，使用RF線纜將這些板串在一起，粗略估計適當(dāng)布局的信號鏈要是構(gòu)建在單個生產(chǎn)PCB上會有怎樣的性能。由于評估板PCB走線較長，并且涉及到大量布線和連接器，因此這種方法會產(chǎn)生相當(dāng)大的插入損耗。由此得到的原型上線測試過程也可能令人沮喪且耗時，因為每個評估板都有特定的電壓要求。RF器件需要多個具有特定電源軌上電時序電壓的情況也很常見，如果違反時序要求，器件可能會損壞。單單電源和RF線就可能造成巨大麻煩，如有電路板需要數(shù)字控制，事情會變得更加復(fù)雜。如果整個系統(tǒng)在首次開啟時沒能像預(yù)期的那樣正常工作，那么調(diào)試很快就會變成耐心和毅力的磨煉。原型設(shè)計是RF工程界眾所周知的一個令人頭疼的問題，然而更快速、更簡單、更準(zhǔn)確的原型解決方案則是使用ADI的X-Microwave。
2023-01-18
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在柵極驅(qū)動器IC方面取得的進(jìn)步讓開關(guān)電源實現(xiàn)新的功率密度水平
像許多電子領(lǐng)域一樣，進(jìn)步持續(xù)發(fā)生。目前，在 3.3 kW 開關(guān)電源 (SMPS)中，產(chǎn)品效率高達(dá) 98%，1U結(jié)構(gòu)尺寸，其功率密度可達(dá) 100 W/in3。這之所以可以實現(xiàn)是因為我們在 圖騰柱 PFC 級中明智地選擇了超結(jié) (SJ) 功率 MOSFET（例如CoolMOS?），碳化硅 (SiC) MOSFET（例如 CoolSiC?），而且還采用了氮化鎵 (GaN) 功率開關(guān)（例如 CoolGaN?）用于400V LLC 應(yīng)用。PFC 和 LLC 數(shù)字控制器是必不可少，正如采用平面磁性器件和先進(jìn)的柵極驅(qū)動器 IC（如EiceDRIVER?）在實現(xiàn)高性能方面發(fā)揮著重要作用。
2023-01-16
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用于 SiC 解決方案設(shè)計的模塊化評估平臺
以碳化硅(SiC) 技術(shù)為動力的下一代功率半導(dǎo)體將滿足快速增長的純電動汽車 (BEV) 市場和充電基礎(chǔ)設(shè)施的需求，以及對新能效標(biāo)準(zhǔn)、更高工業(yè)和可再生能源領(lǐng)域的功率密度和更小的系統(tǒng)尺寸。
2023-01-16
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ACM6753 無霍爾傳感器三相正弦波控制直流無刷電機(jī)BLDC馬達(dá)驅(qū)動IC解決方案
提到直流無刷電機(jī)，那不得不提的就是有刷電機(jī)了。有刷電機(jī)有一個比較令人討厭的缺點：那就是“吵”。因為電刷和換向環(huán)需要時刻不停地摩擦，才能給電樞供電。所以，如果你想要一個“靜音風(fēng)扇”的話，肯定不能選使用了有刷電機(jī)的產(chǎn)品。無刷直流電機(jī)是在有刷直流電動機(jī)的基礎(chǔ)上發(fā)展來的，具有無極調(diào)速、調(diào)速范圍廣、過載能力強(qiáng)、線性度好、壽命長、體積小、重量輕、出力大等優(yōu)點，解決了有刷電機(jī)存在的一系列問題，廣泛應(yīng)用于工業(yè)設(shè)備、儀器儀表、家用電器、機(jī)器人、醫(yī)療設(shè)備等各個領(lǐng)域。
2023-01-14
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高壓柵極驅(qū)動IC自舉電路的設(shè)計與應(yīng)用指南
本文講述了一種運用功率型MOSFET和IGBT設(shè)計高性能自舉式柵極驅(qū)動電路的系統(tǒng)方法，適用于高頻率，大功率及高效率的開關(guān)應(yīng)用場合。不同經(jīng)驗的電力電子工程師們都能從中獲益。在大多數(shù)開關(guān)應(yīng)用中，開關(guān)功耗主要取決于開關(guān)速度。因此，對于絕大部分本文闡述的大功率開關(guān)應(yīng)用，開關(guān)特性是非常重要的。
2023-01-13
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熱插拔控制器改善了電源排序
對于許多系統(tǒng)，電源電壓必須按一定的順序施加，以防止電路損壞。過去，這項任務(wù)是通過分立電路實現(xiàn)的，但現(xiàn)代熱插拔控制器IC提供了一種替代方案，可以簡化設(shè)計并提高電源排序器的性能。
2023-01-13
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小而薄的MOSFET柵極驅(qū)動IC更適合小型化應(yīng)用
電器中配電、上電排序和電源狀態(tài)轉(zhuǎn)換都需要負(fù)載開關(guān)，它可以減小待機(jī)模式下的漏電流，抑制浪涌電流，實現(xiàn)斷電控制。負(fù)載開關(guān)的作用是開啟和關(guān)閉電源軌，大部分負(fù)載開關(guān)包含四個引腳：輸入電壓引腳、輸出電壓引腳、使能引腳和接地引腳。當(dāng)通過ON引腳使能器件時，導(dǎo)通FET接通，從而使電流從輸入引腳流向輸出引腳，將電能傳遞到下游電路。
2023-01-12
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25kW電動汽車SiC直流快充設(shè)計指南：經(jīng)驗總結(jié)
在我們的系列參考設(shè)計文檔中，我們詳細(xì)描述了25 kW直流快充模塊的開發(fā)過程。本白皮書則主要探討25 kW直流快充模塊的開發(fā)和測試中硬件和固件設(shè)計以及調(diào)試階段的技巧與訣竅。我們將介紹如何測試和微調(diào)去飽和保護(hù)功能，分析SiC MOSFET漏極電壓振鈴的原因，以及添加緩沖電容的好處。此外還考慮如何在環(huán)回測試中使用比待測器件(DUT)功率更低的設(shè)備來測試DUT。最后，我們將討論相移雙有源橋控制算法設(shè)計。
2023-01-11
- 利用運動喚醒功能優(yōu)化視覺系統(tǒng)的功耗
- 宜普電源轉(zhuǎn)換公司勝訴，美國國際貿(mào)易委員會終裁確認(rèn)英諾賽科侵權(quán)
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