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淺談碳化硅壽命中的挑戰(zhàn)
功率半導(dǎo)體作為電力電子行業(yè)的驅(qū)動(dòng)力之一，在過(guò)去幾十年里硅(Si)基半導(dǎo)體器件以其不斷優(yōu)化的技術(shù)和成本優(yōu)勢(shì)主導(dǎo)了整個(gè)電力電子行業(yè)，但它也正在接近其理論極限，難以滿足系統(tǒng)對(duì)高效率、高功率密度的需求。而當(dāng)下碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等寬禁帶半導(dǎo)體以其優(yōu)異的電學(xué)和熱學(xué)特性使得功率半導(dǎo)體器件的性能遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過(guò)傳統(tǒng)硅材料的限制。
2022-12-26
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基于硅納米波導(dǎo)倏逝場(chǎng)耦合的超緊湊光學(xué)式MEMS加速度計(jì)
近些年，MEMS加速度計(jì)因其體積小、功耗低、易于與互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體晶體管集成電路（CMOS IC）整合而受到持續(xù)關(guān)注。目前已經(jīng)開(kāi)發(fā)了電容、壓阻、壓電、光學(xué)等原理的加速度計(jì)，以檢測(cè)輸入加速度引起的檢測(cè)質(zhì)量塊位移。在這些技術(shù)中，光學(xué)方案已被證明具有更高的精度和穩(wěn)定性，并且不會(huì)受到電磁干擾（EMI）。
2022-12-26
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郵票式SoM模塊，加快工業(yè)以太網(wǎng)應(yīng)用
現(xiàn)代工廠中，在設(shè)備上添加工業(yè)以太網(wǎng)功能已經(jīng)成為已成為制造業(yè)搶抓機(jī)遇、塑造優(yōu)勢(shì)的“必選項(xiàng)”。然而為實(shí)現(xiàn)工業(yè)以太網(wǎng)功能而修改設(shè)備的全部設(shè)計(jì)，這在時(shí)間和成本方面都造成了巨大的開(kāi)發(fā)負(fù)擔(dān)。為應(yīng)對(duì)這一挑戰(zhàn)，瑞薩推出了千兆工業(yè)以太網(wǎng)SoM解決方案，該方案使用瑞薩的電源管理IC、光電耦合器、EEPROM和其它混合信號(hào)器件，在SoM+載板架構(gòu)中提供可配置的工業(yè)以太網(wǎng)。
2022-12-23
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物聯(lián)網(wǎng)原型開(kāi)發(fā)，如何能夠“快”起來(lái)？
根據(jù)IDC的數(shù)據(jù)，2021年全球物聯(lián)網(wǎng)支出規(guī)模達(dá)6,902.6億美元，并有望在2026年達(dá)到1.1萬(wàn)億美元，2022年至2026年的年復(fù)合增長(zhǎng)率（CAGR）為10.7%。同時(shí)，IoT AnaIytics的研究報(bào)告也顯示，2020年全球物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備連接數(shù)達(dá)113億，首次超過(guò)非物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備連接數(shù)，預(yù)計(jì)2025年將達(dá)到270億，復(fù)合增長(zhǎng)率更是高達(dá)22%！在可以預(yù)見(jiàn)的未來(lái)，物聯(lián)網(wǎng)中蘊(yùn)藏著巨大的商機(jī)，這已是不爭(zhēng)的事實(shí)。
2022-12-23
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先進(jìn)碳化硅技術(shù)，有效助力儲(chǔ)能系統(tǒng)
人們普遍認(rèn)識(shí)到，碳化硅（SiC）現(xiàn)在作為一種成熟的技術(shù)，在從瓦特到兆瓦功率范圍的很多應(yīng)用中改變了電力行業(yè)，覆蓋工業(yè)、能源和汽車(chē)等眾多領(lǐng)域。這主要是由于它比以前的硅（Si）和絕緣柵雙極晶體管（IGBT）的應(yīng)用具有更多優(yōu)勢(shì)，包括更高的開(kāi)關(guān)頻率，更低的工作溫度，更高的電流和電壓容量，以及更低的損耗，進(jìn)而可以實(shí)現(xiàn)更高的功率密度，可靠性和效率。得益于更低的溫度和更小的磁性元件，熱管理和電源組件現(xiàn)在尺寸更小，重量更輕，成本更低，從而降低了總 BOM 成本，同時(shí)也實(shí)現(xiàn)了更小的占用空間。
2022-12-22
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簡(jiǎn)述SiC MOSFET短路保護(hù)時(shí)間
IGBT和MOSFET有一定的短路承受能力，也就是說(shuō)，在一定的短路耐受時(shí)間（short circuit withstand time SCWT），只要器件短路時(shí)間不超過(guò)這個(gè)SCWT，器件基本上是安全的（超大電流導(dǎo)致的寄生晶閘管開(kāi)通latch up除外，本篇不討論）。
2022-12-22
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氮化鎵柵極驅(qū)動(dòng)專(zhuān)利：RC負(fù)偏壓關(guān)斷技術(shù)之松下篇
松下與英飛凌曾共同研發(fā)了增強(qiáng)型GaN GIT功率器件，兩家公司都具有GaN GIT功率器件的產(chǎn)品。對(duì)于其柵極驅(qū)動(dòng)IC，如上期所介紹的，英飛凌對(duì)其GaN EiceDRIVER? IC已布局有核心專(zhuān)利；而松下在這一技術(shù)方向下也是申請(qǐng)了不少專(zhuān)利，其中就包括采用RC電路的負(fù)壓關(guān)斷方案。
2022-12-22
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貿(mào)澤備貨超20,000種TDK Corporation產(chǎn)品
提供超豐富半導(dǎo)體和電子元器件?的業(yè)界知名新品引入 (NPI) 分銷(xiāo)商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 是TDK Corporation解決方案的全球授權(quán)分銷(xiāo)商。貿(mào)澤為客戶提供來(lái)自TDK及旗下公司EPCOS、InvenSense、Micronas、Tronics和TDK-Lambda的20,000多種產(chǎn)品。
2022-12-21
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ADI發(fā)布全新精密中等帶寬信號(hào)鏈平臺(tái)，可連接多種類(lèi)傳感器
Analog Devices, Inc. (ADI)宣布推出全新的精密中等帶寬信號(hào)鏈平臺(tái)，可改善工業(yè)和儀器儀表應(yīng)用中DC至約500kHz信號(hào)帶寬的系統(tǒng)性能。該新平臺(tái)提供一系列具有可定制解決方案選項(xiàng)的完整信號(hào)鏈，并配備一套精選的開(kāi)發(fā)工具，例如LTspice?仿真，有助于簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)過(guò)程。這些可靠的信號(hào)鏈專(zhuān)為精確測(cè)量時(shí)間和頻率而設(shè)計(jì)，使終端系統(tǒng)支持從IEPE振動(dòng)/加速度到溫度/壓力等各種傳感器和測(cè)量模式輸入。更關(guān)鍵的是，這些信號(hào)鏈可幫助工程師充滿信心地投入設(shè)計(jì)，從容應(yīng)對(duì)基于狀態(tài)的監(jiān)控(CbM)、多通道或分布式數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)(DAQ)、位置和電機(jī)控制以及聲納等應(yīng)用中精密儀器儀表帶來(lái)的嚴(yán)苛挑戰(zhàn)。
2022-12-21
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什么是DC-DC轉(zhuǎn)換器的熱仿真
在“DC-DC轉(zhuǎn)換器的熱仿真”系列中，將介紹使用ROHM Solution Simulator對(duì)耐壓80V、輸出5A的DC-DC轉(zhuǎn)換器IC“BD9G500EFJ-LA”組成的電源電路進(jìn)行電路工作仿真，還會(huì)介紹可以同時(shí)執(zhí)行該IC和外置器件肖特基勢(shì)壘二極管“RB088BM100TL”溫度仿真的仿真環(huán)境及其使用方法。
2022-12-21
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巔峰對(duì)決：三大頂流半導(dǎo)體廠商高端工藝逐鹿，你更看好誰(shuí)？
集成電路的成功和普及在很大程度上取決于IC制造商是否有能力繼續(xù)以相對(duì)低的功耗提供更高的性能。隨著主流CMOS工藝達(dá)到理論、實(shí)踐和經(jīng)濟(jì)極限，降低IC成本不可避免地與不斷增長(zhǎng)的技術(shù)和晶圓廠制造規(guī)程緊密相連。
2022-12-21
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用于信號(hào)和數(shù)據(jù)處理電路的DC－DC轉(zhuǎn)換器解決方案
數(shù)據(jù)處理 IC（如現(xiàn)場(chǎng)可編程門(mén)陣列 （FPGA）、片上系統(tǒng) （SoC） 和微處理器）在電信、網(wǎng)絡(luò)、工業(yè)、汽車(chē)、航空電子和國(guó)防系統(tǒng)中的應(yīng)用范圍不斷擴(kuò)大。這些系統(tǒng)的一個(gè)共同點(diǎn)是不斷提高處理能力，從而導(dǎo)致原始功率需求的相應(yīng)增加。設(shè)計(jì)人員非常了解高功率處理器的熱管理問(wèn)題，但可能不會(huì)考慮電源的熱管理問(wèn)題。
2022-12-21
- 利用運(yùn)動(dòng)喚醒功能優(yōu)化視覺(jué)系統(tǒng)的功耗
- 宜普電源轉(zhuǎn)換公司勝訴，美國(guó)國(guó)際貿(mào)易委員會(huì)終裁確認(rèn)英諾賽科侵權(quán)
- 功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)（一）——功率半導(dǎo)體的熱阻
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