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安森美的NCP1680 PFC控制器獲2021 PowerBest獎(jiǎng)
領(lǐng)先于智能電源和智能感知技術(shù)的安森美(onsemi）很高興地宣布，其領(lǐng)先市場(chǎng)的NCP1680臨界導(dǎo)通模式(CrM)無(wú)橋圖騰柱功率因數(shù)校正(PFC)控制器獲《Electronic Design》授予PowerBest獎(jiǎng)。
2022-02-15
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專為MPS IC優(yōu)化的表面貼裝電感
MPS新型表面貼裝功率電感適用于各種電源和功率變換器應(yīng)用。其一體成型電感和半屏蔽式系列電感的電感范圍為0.33μH至22μH，飽和電流范圍為0.8 A至64 A。
2022-02-15
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ROHM確立了可更大程度追求電源IC響應(yīng)性能的創(chuàng)新電源技術(shù)“QuiCurTM”
全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）確立了一種新電源技術(shù)“QuiCurTM”，可改善包括DC/DC轉(zhuǎn)換器IC在內(nèi)的各種電源IC的負(fù)載響應(yīng)特性*1（以下稱為“響應(yīng)性能”，指后級(jí)電路工作時(shí)的響應(yīng)速度和電壓穩(wěn)定性）。
2022-02-14
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SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中柵極－源極間電壓的動(dòng)作
MOSFET和IGBT等電源開(kāi)關(guān)元器件被廣泛應(yīng)用于各種電源應(yīng)用和電源線路中。另外，所使用的電路方式也多種多樣，除單獨(dú)使用外，還有串聯(lián)連接、并聯(lián)連接等多種使用方法。
2022-02-11
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理想開(kāi)關(guān)自身會(huì)帶來(lái)挑戰(zhàn)
隨著我們的產(chǎn)品接近邊沿速率超快的理想半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)，電壓過(guò)沖和振鈴開(kāi)始成為問(wèn)題。適用于SiC FET的簡(jiǎn)單RC緩沖電路可以解決這些問(wèn)題，并帶來(lái)更高的效率增益。
2022-02-10
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派恩杰SiC驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)新探索：如何避免誤開(kāi)通？
隨著SiC 工藝逐漸成熟和成本不斷下降，SiC MOSFET憑借整體性能優(yōu)于硅基器件一個(gè)數(shù)量級(jí)的優(yōu)勢(shì)正逐漸普及，獲得越來(lái)越多的工程應(yīng)用。相較于傳統(tǒng)的Si功率器件，SiC MOSFET具有更小的導(dǎo)通電阻，更快的開(kāi)關(guān)速度，使得系統(tǒng)損耗大幅降低，效率提升，體積減小，從而實(shí)現(xiàn)變換器的高效高功率密度化，因此廣泛適用于5G數(shù)據(jù)中心通信電源，新能源汽車車載充電機(jī)，電機(jī)驅(qū)動(dòng)器，工業(yè)電源，直流充電樁，光伏，UPS等各類能源變換系統(tǒng)中。
2022-02-10
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SiC功率器件使用過(guò)程中的常見(jiàn)問(wèn)題集（上）
由于SiC 材料具有更高的擊穿場(chǎng)強(qiáng)、更好的熱穩(wěn)定性、更高的電子飽和速度及禁帶寬度，因此能夠大大提高功率器件的性能表現(xiàn)。相較于傳統(tǒng)的Si功率器件，SiC 器件具有更快的開(kāi)關(guān)速度，更好的溫度特性使得系統(tǒng)損耗大幅降低，效率提升，體積減小，從而實(shí)現(xiàn)變換器的高效高功率密度化。當(dāng)前碳化硅功率器件主要在新能源汽車的車載充電機(jī)、充電樁、計(jì)算機(jī)電源、風(fēng)電逆變器、光伏逆變器、大型服務(wù)器電源、空調(diào)變頻器等領(lǐng)域，根據(jù)Yole估計(jì)，未來(lái)市場(chǎng)將有每年30% 左右的高速增長(zhǎng)。為此，派恩杰推出1700V,1200V,650V各種電壓等級(jí)SiC MOSFET以應(yīng)對(duì)市場(chǎng)需求。在從硅器件到碳化硅器件使用轉(zhuǎn)變過(guò)程中，客戶常常會(huì)遇到一些疑問(wèn)或者使用問(wèn)題，為此，派恩杰針對(duì)客戶的問(wèn)題進(jìn)行歸納總結(jié)并分享一些解決辦法。
2022-02-09
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將ICT和FCT優(yōu)勢(shì)結(jié)合在單個(gè)測(cè)試適配器中
一般以針床來(lái)測(cè)試不上電的電路板，使用直接數(shù)字合成（DDS）和離散傅立葉變換（DFT）等技術(shù)生成刺激信號(hào)進(jìn)行模擬測(cè)量分析，以此讓在線測(cè)試儀（ICA）測(cè)量電感、電容、阻抗和電阻等實(shí)際數(shù)據(jù)，以便確認(rèn)所有被測(cè)器件（DUT）測(cè)試節(jié)點(diǎn)的結(jié)果在公差范圍內(nèi)，以及是否有開(kāi)路、短路、錯(cuò)件或極性接反的問(wèn)題。這些都在不上電的情況下進(jìn)行測(cè)量。繼電器多路復(fù)用器可以用來(lái)連接探針觸點(diǎn)和電路板的模擬通道或數(shù)字驅(qū)動(dòng)器/傳感器（D/S）（圖1）。
2022-02-09
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適用于電流模式DC-DC轉(zhuǎn)換器的統(tǒng)一的LTspice AC模型
當(dāng)電源設(shè)計(jì)人員想要大致了解電源的反饋環(huán)路時(shí)，他們會(huì)利用環(huán)路增益和相位波特圖。知道環(huán)路響應(yīng)可進(jìn)行預(yù)測(cè)有助于縮小反饋環(huán)路補(bǔ)償元件的選擇范圍。
2022-02-09
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針對(duì)SiC串?dāng)_抑制方法的測(cè)試報(bào)告
近年來(lái)，以SiCMOSFET 為代表的寬禁帶半導(dǎo)體器件因其具有高開(kāi)關(guān)頻率、高開(kāi)關(guān)速度、高熱導(dǎo)率等優(yōu)點(diǎn)，已成為高頻、高溫、高功率密度電力電子變換器的理想選擇。然而隨著SiC MOSFET開(kāi)關(guān)速度加快，橋式電路受寄生參數(shù)影響加劇，串?dāng)_現(xiàn)象更加嚴(yán)重。由于SiC MOSFET 正向閾值電壓與負(fù)向安全電壓較小，串?dāng)_問(wèn)題引起的正負(fù)向電壓尖峰更容易造成開(kāi)關(guān)管誤導(dǎo)通或柵源極擊穿，進(jìn)而增加開(kāi)關(guān)損耗，嚴(yán)重時(shí)損壞開(kāi)關(guān)管，因此合適的串?dāng)_抑制方法對(duì)提高變換器工作可靠性、提升其功率密度具有重要意義。
2022-02-08
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如何仿真轉(zhuǎn)換器的數(shù)字輸入／輸出
對(duì)于SAR-ADC的仿真比較復(fù)雜。目前來(lái)看，還沒(méi)有準(zhǔn)確模擬整個(gè)器件的完整轉(zhuǎn)換器模型?，F(xiàn)有資源是一個(gè)仿真模擬輸入引腳穩(wěn)定性的模擬SPICE文件。有了它，用戶就有了一款強(qiáng)大工具，使用戶能夠解決其中一個(gè)最關(guān)鍵、最棘手的轉(zhuǎn)換器問(wèn)題。
2022-02-08
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用于信號(hào)和數(shù)據(jù)處理電路的低噪聲、高電流、緊湊型DC-DC轉(zhuǎn)換器解決方案
現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列(FPGA)、片上系統(tǒng)(SoC)和微處理器等數(shù)據(jù)處理IC不斷擴(kuò)大在電信、網(wǎng)絡(luò)、工業(yè)、汽車、航空電子和國(guó)防系統(tǒng)領(lǐng)域的應(yīng)用。這些系統(tǒng)的一個(gè)共同點(diǎn)是處理能力不斷提高，導(dǎo)致原始功率需求相應(yīng)增加。設(shè)計(jì)人員很清楚高功率處理器的熱管理問(wèn)題，但可能不會(huì)考慮電源的熱管理問(wèn)題。與晶體管封裝處理器本身類似，當(dāng)?shù)蛢?nèi)核電壓需要高電流時(shí)，熱問(wèn)題在最差情況下不可避免——這是所有數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)的總體電源趨勢(shì)。
2022-01-30
- 利用運(yùn)動(dòng)喚醒功能優(yōu)化視覺(jué)系統(tǒng)的功耗
- 宜普電源轉(zhuǎn)換公司勝訴，美國(guó)國(guó)際貿(mào)易委員會(huì)終裁確認(rèn)英諾賽科侵權(quán)
- 功率器件熱設(shè)計(jì)基礎(chǔ)（一）——功率半導(dǎo)體的熱阻
- 泰矽微重磅發(fā)布超高集成度車規(guī)觸控芯片TCAE10
- 瑞薩與尼得科攜手開(kāi)發(fā)創(chuàng)新“8合1”概念驗(yàn)證，為電動(dòng)汽車驅(qū)動(dòng)電機(jī)提供高階集成
- Bourns 推出兩款大電流氣體放電管 (GDT) 新品，適用于交流和直流電源設(shè)計(jì)
- 多維科技推出用于游戲手柄的新型TMR傳感器芯片TMR2615和TMR2617
- 利用IMU增強(qiáng)機(jī)器人定位：實(shí)現(xiàn)精確導(dǎo)航的基礎(chǔ)技術(shù)
- 貿(mào)澤電子與Analog Devices聯(lián)手推出新電子書(shū)探討電子設(shè)計(jì)中的電源效率與穩(wěn)健性
- 下一代汽車微控制器：意法半導(dǎo)體技術(shù)解析
- 安森美與伍爾特電子攜手升級(jí)高精度電力電子應(yīng)用虛擬設(shè)計(jì)
- 48 V技術(shù)的魅力：系統(tǒng)級(jí)應(yīng)用中的重要性、優(yōu)勢(shì)與關(guān)鍵要素
- 車規(guī)與基于V2X的車輛協(xié)同主動(dòng)避撞技術(shù)展望
- 數(shù)字隔離助力新能源汽車安全隔離的新挑戰(zhàn)
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