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通過利用電化學(xué)診斷技術(shù)分析傳感器的健康狀況
電動汽車充電系統(tǒng)正在不斷發(fā)展。目前通常使用 400V 電池充電總線電壓的 AC Level 2 壁掛式充電盒正在向需要 800V 總線電壓的直流快速充電 (DCFC) 系統(tǒng)遷移。像碳化硅這樣的寬帶隙功率器件非常適合這些應(yīng)用，與硅 IGBT 相比具有更低的傳導(dǎo)和開關(guān)損耗。然而，SiC 更快的開關(guān)速率以及更高的電壓會對柵極驅(qū)動器電路提出一些獨特的要求。在本文中，我們將重點介紹 Murata 產(chǎn)品經(jīng)理 Ann-Marie Bayliss 在近的 electronica 2022電源論壇上關(guān)于該公司用于此類柵極驅(qū)動應(yīng)用的隔離式 DC/DC 轉(zhuǎn)換器的演講的某些方面。
2022-12-05
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全SiC MOSFET模塊讓工業(yè)設(shè)備更小、更高效
SiC MOSFET模塊是采用新型材料碳化硅（SiC）的功率半導(dǎo)體器件，在高速開關(guān)性能和高溫環(huán)境中，優(yōu)于目前主流應(yīng)用的硅（Si）IGBT和MOSFET器件。在需要更高額定電壓和更大電流容量的工業(yè)設(shè)備應(yīng)用中，SiC MOSFET模塊可以滿足包括軌道車用逆變器、轉(zhuǎn)換器和光伏逆變器在內(nèi)的應(yīng)用需求，實現(xiàn)系統(tǒng)的低損耗和小型化。
2022-12-02
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如何使用UCC217XX實現(xiàn)高精度的溫度采樣？
UCC217XX-Q1是一系列電流隔離單通道柵極驅(qū)動器，可用于驅(qū)動碳化硅 MOSFET 和IGBT ，具有高級保護(hù)功能，一流的動態(tài)性能和穩(wěn)健性。該系列隔離柵極驅(qū)動器的主要特性介紹有：
2022-11-10
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IGBT單管數(shù)據(jù)手冊參數(shù)解析（上）
IGBT是大家常用的開關(guān)功率器件，本文基于英飛凌單管IGBT的數(shù)據(jù)手冊，對手冊中的一些關(guān)鍵參數(shù)和圖表進(jìn)行解釋說明，用戶可以了解各參數(shù)的背景信息，以便合理地使用IGBT。
2022-11-01
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庖丁解牛看功率器件雙脈沖測試平臺
雙脈沖測試是表征功率半導(dǎo)體器件動態(tài)特性的重要手段，適用于各類功率器件，包括MOSFET、IGBT、Diode、SiC MOSFET、GaN HEMTs。同時，這項測試發(fā)生在器件研發(fā)、器件生產(chǎn)、系統(tǒng)應(yīng)用等各個環(huán)節(jié)，測試結(jié)果有力地保證了器件的特性和質(zhì)量、功率變換器的指標(biāo)和安全，可以說是伴隨了功率器件生命的關(guān)鍵時刻。
2022-10-31
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高集成度功率電路的熱設(shè)計挑戰(zhàn)
目前隨著科學(xué)技術(shù)和制造工藝的不斷發(fā)展進(jìn)步，半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展日新月異。對于功率半導(dǎo)體器件而言，其制造工藝也同樣是從平面工藝演變到溝槽工藝，功率密度越來越高。目前功率半導(dǎo)體器件不僅是單一的開關(guān)型器件如IGBT或MOSFET器件類型，也增加了如智能功率模塊IPM等混合型功率器件類型。在IPM模塊中既集成有功率器件，還集成了驅(qū)動器和控制電路IC，這樣的功率半導(dǎo)體器件具有更高的集成度。這種混合集成型的功率半導(dǎo)體器件其封裝結(jié)構(gòu)和傳統(tǒng)的單一功率半導(dǎo)體器件有一定的區(qū)別，因此其散熱設(shè)計和熱傳播方式也有別于傳統(tǒng)的功率半導(dǎo)體器件，會給使用者帶來更大的熱設(shè)計挑戰(zhàn)。
2022-10-28
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IGBT驅(qū)動電路中的鉗位電路
在IGBT驅(qū)動電路中有時會用到鉗位電路，其主要目的是為了保護(hù)IGBT器件，避免運行參數(shù)超過集電極或者門極的極限參數(shù)，今天我們總結(jié)一下Vce以及Vge鉗位電路設(shè)計使用注意事項。
2022-10-21
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自舉電路工作原理和自舉電阻和電容的選取
在一些低成本的應(yīng)用中，特別是對于一些600V小功率的IGBT，業(yè)界總是嘗試把驅(qū)動級成本降到最低。因而自舉式電源成為一種廣泛的給高壓柵極驅(qū)動（HVIC）電路供電的方法，原因是電路簡單并且成本低。
2022-10-19
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IGBT柵極驅(qū)動設(shè)計，關(guān)鍵元件該怎么選？
如果說人類世界當(dāng)前面臨的最緊迫危機(jī)是如何降低二氧化碳排放量，以減緩已經(jīng)造成的災(zāi)難性環(huán)境破壞以及人口損害，那么，在當(dāng)前的地球溫室氣體排放中，交通業(yè)的“貢獻(xiàn)”最大，傳統(tǒng)上它已被視為重要的污染源。
2022-10-12
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測量SiC MOSFET柵-源電壓時的注意事項：一般測量方法
SiC MOSFET具有出色的開關(guān)特性，但由于其開關(guān)過程中電壓和電流變化非常大，因此如Tech Web基礎(chǔ)知識 SiC功率元器件“SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中柵極－源極間電壓的動作-前言”中介紹的需要準(zhǔn)確測量柵極和源極之間產(chǎn)生的浪涌。在這里，將為大家介紹在測量柵極和源極之間的電壓時需要注意的事項。我們將以SiC MOSFET為例進(jìn)行講解，其實所講解的內(nèi)容也適用于一般的MOSFET和IGBT等各種功率元器件，盡情參考。
2022-10-11
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IGBT適用于ZVS 還是 ZCS？
提到軟開關(guān)技術(shù)，大家耳熟能詳?shù)挠辛汶妷洪_通ZVS（Zero voltage switching） 和零電流關(guān)斷ZCS（Zero current switching），同時，尤其是在現(xiàn)在的電源產(chǎn)品中，絕大多數(shù)的采用軟開關(guān)拓?fù)涞碾娫串a(chǎn)品都選擇了ZVS，而不是ZCS，所以，Si MOSFET和SiC MOSFET一直是很多同學(xué)提到ZVS時想到的主要功率器件搭檔，而不是IGBT。
2022-10-11
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采用IGBT7的1700V Econo DUAL 3模塊性能解析
半導(dǎo)體市場不斷推動IGBT技術(shù)實現(xiàn)更高功率密度、魯棒性和性能水平。對于新一代IGBT而言，始終需要能夠輕松融入設(shè)計并在不同應(yīng)用中表現(xiàn)良好的產(chǎn)品。IGBT應(yīng)能助力打造出擁有優(yōu)化系統(tǒng)成本的可擴(kuò)展逆變器產(chǎn)品組合。本文通過仿真和應(yīng)用測試，對英飛凌全新TRENCHSTOP? 1700V IGBT7技術(shù)以及對應(yīng)的同類最佳900A和750A EconoDUAL? 3模塊的電氣性能和熱性能，與英飛凌IGBT4技術(shù)進(jìn)行了比較。在1700V IGBT模塊特定應(yīng)用背景下，考慮到了芯片優(yōu)化。研究結(jié)果表明，采用新型1700V IGBT7/EC7技術(shù)的模塊在大量應(yīng)用中顯著提高了功率密度。
2022-09-21
- 利用運動喚醒功能優(yōu)化視覺系統(tǒng)的功耗
- 宜普電源轉(zhuǎn)換公司勝訴，美國國際貿(mào)易委員會終裁確認(rèn)英諾賽科侵權(quán)
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