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韓國三星電子宣布新型CMOS傳感器量產(chǎn)

發(fā)布時(shí)間:2009-12-10 來源:電子元件技術(shù)網(wǎng)

新聞事件:
  • 三星宣布提高CMOS傳感器靈敏度的背面照射技術(shù)達(dá)到了實(shí)用化水平,2010年將批量生產(chǎn)產(chǎn)品
行業(yè)影響:
  • 三家大型CMOS傳感器公司均將在2010年之前開始量產(chǎn)采用背面照射技術(shù)的CMOS傳感器

韓國三星電子宣布提高CMOS傳感器靈敏度的背面照射技術(shù)達(dá)到了實(shí)用化水平,2010年將批量生產(chǎn)產(chǎn)品。至此,三家大型CMOS傳感器公司均將在2010年之前開始量產(chǎn)采用背面照射技術(shù)的CMOS傳感器。

背面照射是能夠消除CMOS傳感器唯一的缺點(diǎn)——靈敏度低的技術(shù)。CMOS傳感器的光傳感器(光電二極管)上面有3層等多層布線層,遮擋了部分入射光,靈敏度比只有1層布線層的CCD傳感器要低,只有后者的一半左右。而BSI型CMOS傳感器的光傳感器上面沒有布線層,從光傳感器的背面(硅底板側(cè))采光,能夠防止遮擋入射光。
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