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國(guó)星光電NS62m功率模塊上線

發(fā)布時(shí)間:2022-12-16 責(zé)任編輯:lina

【導(dǎo)讀】在“雙碳”目標(biāo)背景下,我國(guó)電力系統(tǒng)將向以新能源為主體的新型電力系統(tǒng)轉(zhuǎn)型,儲(chǔ)能作為靈活調(diào)節(jié)電源在新型電力系統(tǒng)中承擔(dān)重任。而儲(chǔ)能逆變器是儲(chǔ)能系統(tǒng)中關(guān)鍵的一環(huán),可控制儲(chǔ)能電池組充電和放電過(guò)程,在提高儲(chǔ)能系統(tǒng)的效率及降低成本方面起著重要作用。


近日,國(guó)星光電研究院基于寬禁帶半導(dǎo)體碳化硅技術(shù),全新推出“NS62m SiC MOSFET功率模塊新品”,可應(yīng)用于傳統(tǒng)工控、儲(chǔ)能逆變、UPS、充電樁、軌道交通和其他功率變換領(lǐng)域。


國(guó)星光電NS62m功率模塊上線


1. 能源轉(zhuǎn)型儲(chǔ)能風(fēng)起正當(dāng)時(shí)


在“雙碳”目標(biāo)背景下,我國(guó)電力系統(tǒng)將向以新能源為主體的新型電力系統(tǒng)轉(zhuǎn)型,儲(chǔ)能作為靈活調(diào)節(jié)電源在新型電力系統(tǒng)中承擔(dān)重任。而儲(chǔ)能逆變器是儲(chǔ)能系統(tǒng)中關(guān)鍵的一環(huán),可控制儲(chǔ)能電池組充電和放電過(guò)程,在提高儲(chǔ)能系統(tǒng)的效率及降低成本方面起著重要作用。


面向儲(chǔ)能逆變器市場(chǎng),國(guó)星光電NS62m功率模塊新品依托SiC MOSFET芯片的優(yōu)異性能,提高了功率模塊的電流密度以及開(kāi)關(guān)頻率,降低了開(kāi)關(guān)損耗和導(dǎo)通損耗,減少了無(wú)源器件的使用和冷卻裝置的尺寸,最終達(dá)到降低系統(tǒng)成本、提升系統(tǒng)效率的目的。


2. 四大優(yōu)勢(shì)全面揭曉NS62m 


兼容靈活性能佳


國(guó)星光電NS62m功率模塊采用標(biāo)準(zhǔn)型封裝,半橋拓?fù)湓O(shè)計(jì),內(nèi)置NTC熱敏電阻,可實(shí)現(xiàn)溫度監(jiān)控;采用62mm尺寸標(biāo)準(zhǔn)基板和接口,可兼容行業(yè)內(nèi)各大主流產(chǎn)品,實(shí)現(xiàn)快速替換使用;具有150℃的連續(xù)工作溫度(Tvjop)和優(yōu)秀的溫度循環(huán)能力,器件可靠性表現(xiàn)卓越。


國(guó)星光電NS62m功率模塊上線


全橋拓?fù)淇刹⒙?lián)


NS62m功率模塊以半橋電路結(jié)構(gòu)應(yīng)用于逆變器中。在實(shí)際應(yīng)用中,一般會(huì)以2個(gè)或3個(gè)NS62m功率模塊并聯(lián)的形式構(gòu)成單相全橋拓?fù)浠蛉鄻蛲負(fù)?,將直流電變成頻率、幅值可調(diào)的交流電,實(shí)現(xiàn)逆變功能。基于NS62m功率模塊內(nèi)SiC MOSFET的體二極管具有出色的開(kāi)關(guān)特性和反向恢復(fù)性能,因此在無(wú)需額外搭配二極管器件,更可滿足多數(shù)場(chǎng)景下的續(xù)流要求。


國(guó)星光電NS62m功率模塊上線


如圖中橙色框圖部分所示,每個(gè)框圖代表一個(gè)NS62m功率模塊,此圖為2個(gè)NS62m功率模塊并聯(lián)的形式構(gòu)成單相全橋拓?fù)洹?/p>


參數(shù)對(duì)比見(jiàn)真章


NS62m功率模塊在工作時(shí)可達(dá)到更高的開(kāi)關(guān)頻率、更低的開(kāi)關(guān)損耗,同時(shí),可幫助變換器系統(tǒng)效率的提升和散熱結(jié)構(gòu)成本的降低。


國(guó)星光電NS62m功率模塊上線


根據(jù)實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)可得,與市場(chǎng)同等電流規(guī)格的產(chǎn)品對(duì)比,NS62m功率模塊動(dòng)態(tài)特性開(kāi)通延遲時(shí)間減少79納秒;上升時(shí)間減少42納秒;關(guān)斷延遲時(shí)間減少468納秒。開(kāi)啟損耗降低82%,關(guān)斷損耗降低92%,整體開(kāi)關(guān)損耗表現(xiàn)優(yōu)秀。


產(chǎn)品豐富因需至


針對(duì)傳統(tǒng)工控、儲(chǔ)能逆變、充電樁等應(yīng)用領(lǐng)域的需求,國(guó)星光電NS62m SiC MOSFET模塊系列型號(hào)豐富,可供選擇。依托國(guó)星光電先進(jìn)的第三代半導(dǎo)體器件生產(chǎn)線,公司可響應(yīng)不同封裝及規(guī)格的SiC功率模塊定制開(kāi)發(fā)需求,為客戶提供高質(zhì)量的定制化產(chǎn)品服務(wù)。


國(guó)星光電NS62m功率模塊上線


目前,國(guó)星光電正加速深入第三代半導(dǎo)體賽道,以自主創(chuàng)新為驅(qū)動(dòng),努力攻克技術(shù)難關(guān),加速科技成果轉(zhuǎn)化,推動(dòng)產(chǎn)品迭代更新,為第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)化高質(zhì)量發(fā)展注入源源不斷的新活力。


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