安森美半導體在本年度的Electronica展會及研討會上推出兩款新的單通道功率MOSFET。新的MCH3383 P溝道MOSFET提供12伏(V)的漏極至源極電壓(VDSS)、3.5安培(A)的漏極電流(ID)及69毫歐((mΩ))的導通電阻(RDS(ON))，而MCH3484 N溝道MOSFET提供20 V的VDSS、4.5 A的ID及330 mΩ的RDS(ON)。這些器件非常適合用于數碼錄音筆(IC recorder)及智能手機。

推動高能效創(chuàng)新的安森美半導體持續(xù)讓多種便攜及消費電子產品更省電，推出擴充陣容的高集成度、特性豐富、低能耗的方案，用于便攜及消費電子產品。

展會上并推出NCP4545、NCP45520/21及NCP45524/25用于高能效電源域開關的ecoSWITCH系列，它們是極緊湊、先進負載管理方案的新成員。這些器件結合控制及驅動功能，均包含以可調節(jié)歪曲率控制提供的軟啟動功能，集成了低導通電阻功率MOSFET及電荷泵。它們適合于筆記本/平板電腦、便攜式媒體設備、企業(yè)級計算系統(tǒng)、熱插拔設備、外設端口、電信及工業(yè)設備和各種便攜設備。

此外，NCP333、NCP334、NCP335、NCP336及NCP337是新推出的高性價比、極緊湊、高性能的負載開關。這些基于MOSFET的器件輸入電壓范圍涵蓋1.2 V至5.5 V，均內置輸出放電通道以消除輸入電壓軌上的殘余電壓。它們經過了優(yōu)化，用于手機、筆記本/平板電腦及數碼相機等應用。

安森美半導體還推出了NCP702、NCP703 及NCP729低壓降(LDO)線性穩(wěn)壓器，這些器件的輸入電壓范圍為2.0 V至5.5 V，提供超低靜態(tài)電流和內置過熱關閉機制。這些器件的優(yōu)異性能特性使其非常適合于必須維持信號完整性的噪聲敏感型應用，如鎖相環(huán)(PLL)、振蕩器、頻率合成器及低噪聲放大器。它們被證實極適用的終端產品包括智能手機、數碼相機、平板電腦、便攜式DVD/媒體播放器、無線耳機、WiFi板和便攜式GPS系統(tǒng)，以及便攜式醫(yī)療設備。