【導(dǎo)讀】ST的超結(jié)功率MOSFET晶體管系列新增快速開關(guān)產(chǎn)品，用于高能效消費電子產(chǎn)品、計算機和電信系統(tǒng)、照明控制器和太陽能設(shè)備。所用的功率創(chuàng)新技術(shù)可減少相當于數(shù)千輛汽車尾氣排放量的溫室氣體。
ST的新開關(guān)產(chǎn)品可提升設(shè)備電源能效，如200-500W中等尺寸電視。如每年制造的2億臺液晶電視均采用新的 MDmesh II Plus Low Qg（低柵電荷）功率晶體管，每年溫室氣體將減排14多萬噸，這個數(shù)字相當于約3萬輛客車的尾氣排放量[ 按照半負載（100W）時能效提高0.5%計算，每天節(jié)省3Wh，假設(shè)每天電視開機6小時，每年每臺電視節(jié)電約1kWh。在2億臺電視內(nèi)，全球可節(jié)電200GWh。根據(jù)美國環(huán)保局（www.epa.gov） 換算器的計算結(jié)果，相當于減排141,110噸二氧化碳，相當于29,328輛客車的溫室氣體排放量]。
ST創(chuàng)新開關(guān)產(chǎn)品可大幅提升設(shè)備電源能效
僅有少數(shù)芯片廠商掌握超結(jié)技術(shù)，采用此項技術(shù)的功率晶體管具有小尺寸、耐高壓和導(dǎo)通能效優(yōu)異等諸多優(yōu)點。意法半導(dǎo)體在這個技術(shù)領(lǐng)域居全球領(lǐng)先水平，除MDmesh功率MOSFET外，現(xiàn)在又推出了性能更高的MDmesh II Plus Low Qg系列。這些先進特性可降低管內(nèi)柵極電荷數(shù)量，提高開關(guān)以及導(dǎo)通時的能效，有助于液晶電視常用的諧振型電源節(jié)省電能。
在改進設(shè)計后，新產(chǎn)品降低了柵電荷（Qg）以及輸入和輸出電容，這些參數(shù)有助于進一步提高開關(guān)速度和能效，推進液晶電視開發(fā)人員選用超結(jié)晶體管設(shè)計諧振電源。直到現(xiàn)在，超結(jié)晶體管仍主要用于設(shè)計硬開關(guān)拓撲，在電流電壓都很高的條件下執(zhí)行開關(guān)操作。在諧振型電源內(nèi)，兩支電感和一支電容（LLC功率轉(zhuǎn)換器）可確保晶體管的開關(guān)電壓為零電壓，以保證系統(tǒng)電流曲線平滑，從而提高能效。電壓瞬變可燒毀晶體管，引起誤開關(guān)，MDmesh II PlusTM Low Qg新系列擁有高抗瞬變能力，可承受輸入電壓突然劇變（dv/dt），讓新產(chǎn)品能夠在交流電力線上噪聲和諧波等瞬變事件惡劣的環(huán)境中穩(wěn)定工作。
ST首款投產(chǎn)的MDmesh II PlusTM Low Qg產(chǎn)品為采用TO-220封裝的STP24N60M2。意法半導(dǎo)體將擴展此系列至50余款不同封裝的產(chǎn)品，如TO-220FP， I2PAK，I2PAK FP，D2PAK，TO-247 和PowerFLAT 8x8。
ST STP24N60M2主要特性：
- 通態(tài)電阻（RDS(ON)）：190m?
- 擊穿電壓：600V
- 最大連續(xù)漏極電流（ID）：18A
- 抗dv/dt能力：50V/ns
- 100%雪崩測試
