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用碳化硅MOSFET如何設(shè)計(jì)雙向降壓-升壓轉(zhuǎn)換器?

發(fā)布時(shí)間:2020-12-01 來源:雪球,作者:化合物半導(dǎo)體市場 責(zé)任編輯:lina

【導(dǎo)讀】電池供電的便攜設(shè)備越來越多,在今日生活中扮演的角色也越來越重要。這個(gè)趨勢還取決于高能量儲(chǔ)存技術(shù)的發(fā)展,例如鋰離子(Li-ion)電池和超級(jí)電容器。
 
電池供電的便攜設(shè)備越來越多,在今日生活中扮演的角色也越來越重要。這個(gè)趨勢還取決于高能量儲(chǔ)存技術(shù)的發(fā)展,例如鋰離子(Li-ion)電池和超級(jí)電容器。
 
這些儲(chǔ)能設(shè)備連接到可再生能源系統(tǒng)(太陽能和風(fēng)能),收集和儲(chǔ)存能源,并穩(wěn)定提供給用戶,其中一些應(yīng)用需要快速充電或放電。
 
這里我們將要介紹的是一種雙向DC-DC轉(zhuǎn)換器,其雙向性允許電流產(chǎn)生器同時(shí)具備充電和放電能力。
 
雙向控制器可以車用雙電池系統(tǒng)提供出色的性能和便利性。而且在降壓和升壓模式中采用相同的電路模塊大幅降低了系統(tǒng)的復(fù)雜性和尺寸,甚至可以取得高達(dá)97%的能源效率,并且可以控制雙向傳遞的最大電流。
 
電氣原理
圖1顯示了簡單但功能齊全的電氣圖,其對(duì)稱配置可讓用戶選擇四種不同的運(yùn)作模式。它由四個(gè)級(jí)聯(lián)降壓-升壓轉(zhuǎn)換器的單相象限組成,包括四個(gè)開關(guān)、一個(gè)電感器和兩個(gè)電容器。
 
根據(jù)不同電子開關(guān)的功能,電路可以降低或升高輸入電壓。開關(guān)組件由碳化硅(SiC) MOSFET UF3C065080T3S組成,當(dāng)然也可以用其他組件代替。
 
如何使用碳化硅MOSFET設(shè)計(jì)雙向降壓-升壓轉(zhuǎn)換器?
圖1:雙向降壓-升壓轉(zhuǎn)換器接線圖
 
四種運(yùn)作模式
用戶可以簡單配置四個(gè)MOSFET來決定電路的運(yùn)作模式,具體包括如下四種:
 
· 電池位于A端,負(fù)載位于B端,從A到B為降壓;
· 電池位于A端,負(fù)載位于B端,從A到B為升壓;
· 電池位于B端,負(fù)載位于A端,從B到A為降壓;
· 電池位于B端,負(fù)載位于A端,從B到A為升壓;
 
在該電路中,SiC MOSFET可以三種不同的方式運(yùn)作:
 
· 導(dǎo)通,對(duì)地為正電壓;
· 關(guān)斷,電壓為0;
· 脈動(dòng)(Pulsating),具方波和50% PWM;其頻率應(yīng)根據(jù)具體運(yùn)作條件進(jìn)行選擇。
 
根據(jù)這些標(biāo)準(zhǔn),SiC MOSFET的功能遵循圖2中所示的表格。
 
如何使用碳化硅MOSFET設(shè)計(jì)雙向降壓-升壓轉(zhuǎn)換器?
圖2:四個(gè)SiC MOSFET的運(yùn)作模式和作用
 
模式一:降壓(Buck)A-B
選擇模式一,電路做為降壓器,即輸出電壓低于輸入電壓的轉(zhuǎn)換器。這種電路也稱為“step-down”,其電壓產(chǎn)生器需連接在A側(cè),而負(fù)載連接在B側(cè)。負(fù)載效率取決于所采用的MOSFET組件。具體配置如下:
 
· SW1:以10 kHz方波頻率進(jìn)行切換;
· SW2:關(guān)斷,即斷開開關(guān);
· SW3:關(guān)斷,即斷開開關(guān);
· SW4:關(guān)斷,即斷開開關(guān)。
 
圖3中顯示了Buck A-B模式下的輸入和輸出電壓;其輸入電壓為12V,輸出電壓約為9V,因此電路可用作降壓器。其開關(guān)頻率選擇為10kHz,輸出端負(fù)載為22Ohm,功耗約為4W。
 
如何使用碳化硅MOSFET設(shè)計(jì)雙向降壓-升壓轉(zhuǎn)換器?
圖3:Buck A-B模式下的輸入和輸出電壓
 
模式二:升壓A-B
模式二提供升壓操作,即作為輸出電壓高于輸入電壓的轉(zhuǎn)換器。這種電路也稱為“step-up”。電壓產(chǎn)生器需連接在A側(cè),而負(fù)載連接在B側(cè)。負(fù)載效率取決于所采用的MOSFET組件。具體配置如下:
 
· SW1:導(dǎo)通,即關(guān)閉開關(guān)(閘極供電);
· SW2:關(guān)斷,即斷開開關(guān);
· SW3:關(guān)斷,即斷開開關(guān);
· SW4:以10kHz方波頻率進(jìn)行切換。
 
圖4顯示了Boost A-B模式下的輸入和輸出電壓,其輸入電壓為12V,輸出電壓約為35V,因此電路可用作升壓器。其開關(guān)頻率選擇為10kHz,輸出端負(fù)載為22Ohm,功耗約為55W。
 
如何使用碳化硅MOSFET設(shè)計(jì)雙向降壓-升壓轉(zhuǎn)換器?
圖4:Boost A-B模式下的輸入和輸出電壓
 
模式三:降壓B-A
選擇模式三,電路也做為降壓器運(yùn)作,即輸出電壓低于輸入電壓的轉(zhuǎn)換器。其電壓產(chǎn)生器需連接在B側(cè),而負(fù)載連接在A側(cè),負(fù)載效率取決于所采用的MOSFET組件。具體配置如下:
 
· SW1:關(guān)斷,即斷開開關(guān);
· SW2:關(guān)斷,即斷開開關(guān);
· SW3:以100 kHz方波頻率進(jìn)行切換;
 
· SW4:關(guān)斷,即斷開開關(guān)。
 
圖5顯示了Buck B-A模式下的輸入和輸出電壓。其輸入電壓為24 V,輸出電壓約為6.6V,因此電路可用作降壓器。其開關(guān)頻率選擇為100kHz,輸出端負(fù)載為10Ohm。
 
如何使用碳化硅MOSFET設(shè)計(jì)雙向降壓-升壓轉(zhuǎn)換器?
圖5:Buck B-A模式下的輸入和輸出電壓
 
模式四:升壓B-A
選擇模式四,電路作為升壓器運(yùn)作,即輸出電壓高于輸入電壓的轉(zhuǎn)換器。這種電路也稱為“step-up”,其電壓產(chǎn)生器需連接在B側(cè),而負(fù)載連接在A側(cè)。負(fù)載效率取決于所采用的MOSFET組件。具體配置如下:
 
· SW1:關(guān)斷,即斷開開關(guān);
· SW2:以100 kHz方波頻率進(jìn)行切換;
· SW3:導(dǎo)通,即關(guān)閉開關(guān)(柵級(jí)供電);
· SW4:關(guān)斷,即斷開開關(guān)。
 
圖6顯示了Boost B-A模式下的輸入和輸出電壓。其輸入電壓為18V,輸出電壓約為22V,因此電路可用作升壓器。其開關(guān)頻率選擇為100 kHz,輸出端負(fù)載為22 Ohm,功耗約為22W。
 
如何使用碳化硅MOSFET設(shè)計(jì)雙向降壓-升壓轉(zhuǎn)換器?
圖6:Boost B-A模式下的輸入和輸出電壓
 
結(jié)語
電路的效率取決于許多因素,首先是所采用的MOSFET導(dǎo)通電阻Rds(on),它決定了電流是否容易通過(如圖7)。另外,這種配有四個(gè)功率開關(guān)的電路需要進(jìn)行認(rèn)真的安全檢查;如果SW1和SW2 (或SW3和SW4)同時(shí)處于導(dǎo)通狀態(tài),則可能造成短路,從而損壞組件。
 
如何使用碳化硅MOSFET設(shè)計(jì)雙向降壓-升壓轉(zhuǎn)換器?
圖7:Boost A-B模式下,電感上的脈動(dòng)電壓和電流曲線圖
 
(轉(zhuǎn)載來源:雪球,作者:化合物半導(dǎo)體市場)
 
 
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