經(jīng)常關(guān)注手機圈的朋友都會對智能手機有著自己的傾向，這也是根據(jù)不同需求而定的，人們在挑選手機時也會不自覺的主要關(guān)注自己感興趣的點。像屏幕、處理器、電池容量、攝像頭都是大家所關(guān)注的，作為硬件配置中“百搭”般的存在，內(nèi)存也是非常重要的。手機中的內(nèi)存相當于PC上的內(nèi)存+硬盤，運行內(nèi)存就是PC上的內(nèi)存，內(nèi)置存儲就是硬盤了，其功能特性也是和PC大同小異。

　　

簡單來說，不論是運行內(nèi)存還是內(nèi)置存儲，不出意外都是數(shù)值越大越好。當然了，如果僅僅是這樣，那這篇文章也沒有寫的意義，直接比數(shù)字就好了。其實手機內(nèi)存中還有很多門道，下面就聽筆者給大家慢慢道來。

　　

　　

隨著對智能手機的研究也來越深入，我們可以發(fā)現(xiàn)它的內(nèi)部構(gòu)成和PC是出奇的一致。處理器是整個設(shè)備的核心，它能夠起到統(tǒng)籌全局的作用。內(nèi)存（手機的運行內(nèi)存）則是與CPU進行溝通的橋梁，手機中所有程序的運行都是在內(nèi)存中進行的，因此內(nèi)存的性能對手機的影響非常大。

手機內(nèi)存的各項參數(shù)也和PC基本保持一致，除了大家熟知內(nèi)存容量之外，內(nèi)存還受到很多參數(shù)影響，比如說帶寬、時序、內(nèi)存技術(shù)等等。目前在手機端主流內(nèi)存技術(shù)是LPDDR3。

　　

　　

Write-Leveling and CA Training（寫入均衡與指令地址調(diào)馴）：可讓內(nèi)存控制器補償信號偏差，確保內(nèi)存運行于業(yè)內(nèi)最快輸入總線速度的同時，維持數(shù)據(jù)輸入設(shè)定、指令與地址輸入時序均滿足需求。

　　

On Die Termination（片內(nèi)終結(jié)器/ODT）：可選技術(shù)，為LPDDR3數(shù)據(jù)平面增加一個輕量級終結(jié)器，改進高速信號傳輸，并盡可能降低對功耗、系統(tǒng)操作和針腳計數(shù)的影響。

 

相比LPDDR2而言，第三代低功耗內(nèi)存技術(shù)在保障低功耗的同時又提高的整體性能，可以說是全面秒殺前代產(chǎn)品，而隨著未來LPDDR4的發(fā)布，LPDDR3也面臨著被秒殺的命運。

　　

其實即便是采用相同的LPDDR3技術(shù)，內(nèi)存的性能也會有所不同，因為還有帶寬等因素控制。如果內(nèi)存的容量決定“倉庫”的大小，那么內(nèi)存的帶寬決定“橋梁”的寬窄。很顯然，在容量沒有達到飽和的情況下，帶寬是影響傳輸效率的最主要因素，影響程度已經(jīng)超越了內(nèi)存容量。

　　

　　

我們都知道，電子設(shè)備都要牽扯到一個叫做延遲的概念，在內(nèi)存身上就是時序，也可以稱之為CL延遲，CL是CASLatency的縮寫，指的是內(nèi)存存取數(shù)據(jù)所需的延遲時間，簡單的說，就是內(nèi)存接到CPU的指令后的反應(yīng)速度。一般的參數(shù)值是2和3兩種。數(shù)字越小，代表反應(yīng)所需的時間越短。

通常情況下，我們用4個連著的阿拉伯數(shù)字來表示一個內(nèi)存延遲，例如2-2-2-5。其中，第一個數(shù)字最為重要，它表示的是CASLatency，也就是內(nèi)存存取數(shù)據(jù)所需的延遲時間。第二個數(shù)字表示的是RAS-CAS延遲，接下來的兩個數(shù)字分別表示的是RAS預(yù)充電時間和Act-to-Precharge延遲。而第四個數(shù)字一般而言是它們中間最大的一個。

 

綜合這三點來看手機內(nèi)存，你就會有更深一層的認識，盲目的追求所謂的大內(nèi)存很多時候是沒用的，當內(nèi)存資源充足的時候，內(nèi)存技術(shù)、帶寬、CL延遲才是影響手機流暢與否的決定性因素。

　　

不過話說回來，對于內(nèi)存占用率較高的Android手機而言，1GB容量只能算是及格，隨便用用就會占用85%以上的空間，如果內(nèi)存容量被占滿的話，手機流暢度會大打折扣。所以就目前來看，2GB容量運存是一個比較合理的數(shù)值，不至于被占滿也不至于太浪費。

　　

　　

除了運行內(nèi)存之外，手機內(nèi)存還有另一部分，那就是內(nèi)置存儲，它的作用就相當于PC上的硬盤。相比內(nèi)存這個斷電就清空數(shù)據(jù)隨機存儲器而言，它的優(yōu)勢就在于即使機器停電，這些數(shù)據(jù)也不會丟失，理論上可以實現(xiàn)永久保存，但速度是遠遠比不上運行內(nèi)存的，所以用于平常存儲數(shù)據(jù)使用。

　　

從形態(tài)來看，手機上的“硬盤”相當于是固態(tài)硬盤，因為它的主體就是一塊存儲芯片，并不存在像機械硬盤那也的結(jié)構(gòu)。事實上，手機也不允許有這樣的設(shè)計，畢竟體積在那擺著呢。

最后有一點還是要科普一下的，那就是內(nèi)存數(shù)值的問題。很多人都在問，為什么明明是2GB運存，確實際可用1GB出頭？明明是16GB存儲空間，實際可用也就12GB左右。導(dǎo)致這個問題的其中一個原因是換算標準上的不同，電子設(shè)備計算容量都是按1024計算的的，比如1GB=1024MB,1MB=1024KB。而我們?nèi)藶橛嬎憔鸵?000計算，廠商宣傳也是按這個數(shù)值，所有積少成多就有所差距了。

另一個原因就是初始占用的問題了，對于智能手機上內(nèi)置存儲而言，像操作系統(tǒng)，一些內(nèi)置軟件等信息都是存儲其中的，這些數(shù)據(jù)都是死的不可變動的，所以它們會占用掉一些空間，從而讓我們總是用空間降低。

而對于運行內(nèi)存方面，Android系統(tǒng)中有一個概念叫做服務(wù)，很多系統(tǒng)級功能都是需要建立在服務(wù)開啟的基礎(chǔ)上才能夠?qū)崿F(xiàn)的，而服務(wù)占用的資源就是運行內(nèi)存了，而且很多服務(wù)都是開機自啟動的，所以運行內(nèi)存不自然的就少了很多了。

　　

　　

了解完手機內(nèi)存的知識之后，相信很多人都了解了如何合理的利用內(nèi)存，如何合理的選擇適合自己的手機。如果你是一個智能機輕度用戶，基本上1GB運存已經(jīng)足夠了，畢竟現(xiàn)在已經(jīng)普及了LPDDR3內(nèi)存技術(shù)。如果你是一個中度或重度的發(fā)燒友的話，基本上2GB運存也已經(jīng)足夠，手機流暢與否還是要看CL延遲和帶寬，這兩個參數(shù)OK了才行。而對于內(nèi)置存儲的需求就因人而異了，原則上是越大越好。