DDRSDRAM（DoubleDataRateSDRAM）：為雙信道同步動態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存，是新一代的SDRAM技術(shù)。別于SDR（SingleDataRate）單一周期內(nèi)只能讀寫1次，DDR的雙倍數(shù)據(jù)傳輸率指的就是單一周期內(nèi)可讀取或?qū)懭?次。在核心頻率不變的情況下，傳輸效率為SDRSDRAM的2倍。第一代DDR內(nèi)存Prefetch為2bit，是SDR的2倍，運(yùn)作時I/O會預(yù)取2bit的資料。舉例而言，此時DDR內(nèi)存的傳輸速率約為266～400MT/s不等，像是DDR266、DDR400都是這個時期的產(chǎn)品。

DDR2SDRAM（DoubleDataRateTwoSDRAM）：為雙信道兩次同步動態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存。DDR2內(nèi)存Prefetch又再度提升至4bit（DDR的兩倍），DDR2的I/O頻率是DDR的2倍，也就是266、333、400MHz。舉例：核心頻率同樣有133～200MHz的顆粒，I/O頻率提升的影響下，此時的DDR2傳輸速率約為533～800MT/s不等，也就是常見的DDR2533、DDR2800等內(nèi)存規(guī)格。

DDR3SDRAM（DoubleDataRateThreeSDRAM）：為雙信道三次同步動態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存。DDR3內(nèi)存Prefetch提升至8bit，即每次會存取8bits為一組的數(shù)據(jù)。DDR3傳輸速率介于800～1600MT/s之間。此外，DDR3的規(guī)格要求將電壓控制在1.5V，較DDR2的1.8V更為省電。DDR3也新增ASR（AutomaticSelf-Refresh）、SRT（Self-RefreshTemperature）等兩種功能，讓內(nèi)存在休眠時也能夠隨著溫度變化去控制對內(nèi)存顆粒的充電頻率，以確保系統(tǒng)數(shù)據(jù)的完整性。

DDR4SDRAM（DoubleDataRateFourthSDRAM）：DDR4提供比DDR3/DDR2更低的供電電壓1.2V以及更高的帶寬，DDR4的傳輸速率目前可達(dá)2133～3200MT/s。DDR4新增了4個BankGroup數(shù)據(jù)組的設(shè)計，各個BankGroup具備獨(dú)立啟動操作讀、寫等動作特性，BankGroup數(shù)據(jù)組可套用多任務(wù)的觀念來想象，亦可解釋為DDR4在同一頻率工作周期內(nèi)，至多可以處理4筆數(shù)據(jù)，效率明顯好過于DDR3。另外DDR4增加了DBI（DataBusInversion）、CRC（CyclicRedundancyCheck）、CAparity等功能，讓DDR4內(nèi)存在更快速與更省電的同時亦能夠增強(qiáng)信號的完整性、改善數(shù)據(jù)傳輸及儲存的可靠性。

SDRAM（SynchronousDynamicRandomAccessMemory）：為同步動態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存，前綴的Synchronous告訴 了大家這種內(nèi)存的特性，也就是同步。1996年底，SDRAM開始在系統(tǒng)中出現(xiàn)，不同于早期的技術(shù)，SDRAM是為了與中央處理器的計時同步化所設(shè)計，這 使得內(nèi)存控制器能夠掌握準(zhǔn)備所要求的數(shù)據(jù)所需的準(zhǔn)確時鐘周期，因此中央處理器從此不需要延后下一次的數(shù)據(jù)存取。舉例而言，PC66SDRAM以 66MT/s的傳輸速率運(yùn)作；PC100SDRAM以100MT/s的傳輸速率運(yùn)作；PC133SDRAM以133MT/s的傳輸速率運(yùn)作，以此類推。

SDRAM 亦可稱為SDRSDRAM（SingleDataRateSDRAM），SingleDataRate為單倍數(shù)據(jù)傳輸率，SDRSDRAM的核心、 I/O、等效頻率皆相同，舉例而言，PC133規(guī)格的內(nèi)存，其核心、I/O、等效頻率都是133MHz。而SingleDataRate意指 SDRSDRAM在1個周期內(nèi)只能讀寫1次，若需要同時寫入與讀取，必須等到先前的指令執(zhí)行完畢，才能接著存取。