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NESG7030M04:瑞薩新款SiGe:C異質(zhì)接面晶體管提供高水平噪聲效能

發(fā)布時(shí)間:2011-10-06 來(lái)源:佳工機(jī)電網(wǎng)

產(chǎn)品特性:
  • 最高水平的5.8 GHz頻段低噪聲效能
  • 更高的耐受電壓
應(yīng)用范圍:
  • 可接收到的微弱微波信號(hào)
  • 在廣大的頻寬中提供穩(wěn)定運(yùn)作

瑞薩新款SiGe:C異質(zhì)接面晶體管NESG7030M04提供高水平噪聲效能高級(jí)半導(dǎo)體廠商瑞薩電子株式會(huì)社(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“瑞薩電子”)宣布推出新款SiGe:C異質(zhì)接面晶體管 (SiGe:C HBT)NESG7030M04,可作為低噪聲放大晶體管用于無(wú)線(xiàn)局域網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)、衛(wèi)星無(wú)線(xiàn)電及類(lèi)似應(yīng)用。本裝置的制程采用全新開(kāi)發(fā)的硅鍺:碳(SiGe:C)材料并達(dá)到領(lǐng)先業(yè)界的低噪聲效能。

新款SiGe:C HBT晶體管可將無(wú)線(xiàn)接收到的微弱微波信號(hào)放大為適合的水平,以達(dá)到0.75 dB的噪聲值,為無(wú)線(xiàn)局域網(wǎng)絡(luò)及其它應(yīng)用所使用5.8 GHz頻段的業(yè)界最高水平。由于能夠以如此低的噪聲放大信號(hào)強(qiáng)度,因此可提高終端產(chǎn)品的通訊接收靈敏度。由于它可減少訊號(hào)傳輸錯(cuò)誤,因此其運(yùn)作耗電量可降低至具同等效能之瑞薩電子現(xiàn)有產(chǎn)品的四分之一。 瑞薩電子銷(xiāo)售適用于微波放大器應(yīng)用的晶體管及IC,為無(wú)線(xiàn)局域網(wǎng)絡(luò)、消費(fèi)性家用無(wú)線(xiàn)電話(huà)、地面數(shù)字電視廣播調(diào)整器以及包含GPS功能的設(shè)備等提供解決方案,并且在微波應(yīng)用晶體管領(lǐng)域獲得業(yè)界第一的市場(chǎng)占有率(瑞薩電子的估計(jì))。在上述背景之中,瑞薩電子已開(kāi)發(fā)出采用SiGe:C材料的全新制程技術(shù),以響應(yīng)市場(chǎng)對(duì)于更低噪聲的需求,并且為衛(wèi)星廣播所使用的12 GHz以上的頻率提供解決方案。以此制程為基礎(chǔ),瑞薩電子已開(kāi)發(fā)并推出NESG7030M04 SiGe:C HBT裝置,可達(dá)到業(yè)界最高水平的低噪聲效能,并且在數(shù)MHz至14 GHz頻段的頻率范圍內(nèi)皆可發(fā)揮穩(wěn)定效能。

(1) 業(yè)界最高水平的5.8 GHz頻段低噪聲效能

利用上述新開(kāi)發(fā)的SiGe:C制程,瑞薩電子5.8 GHz頻段SiGe:C HBT及SiGe HBT裝置可達(dá)到業(yè)界最低的噪聲值0.75 dB。相較于瑞薩電子先前的SiGe HBT裝置,改善了0.35 dB。另外,此裝置在最小噪聲值條件下可獲得14.0 dB增益。如此可使通訊接收靈敏度提升或使訊號(hào)傳輸錯(cuò)誤減少,而且新裝置能以瑞薩電子先前產(chǎn)品四分之一的耗電量,提供接近的效能。

(2) 更高的耐受電壓可在廣大的頻寬中提供穩(wěn)定運(yùn)作

在早期以硅為基礎(chǔ)的異質(zhì)接面晶體管中,無(wú)法避免藉由降低集極-射極耐受電壓以換得減少噪聲,而這限制了這些裝置可使用的應(yīng)用范圍。在此新款產(chǎn)品中,瑞薩電子最佳化集極-基極的特征,使其能夠確保4.3 V的耐受電壓等級(jí)。如此提高了所使用的電壓供應(yīng)范圍,并且在數(shù)MHz到14 GHz頻段的頻率范圍內(nèi)皆可發(fā)揮穩(wěn)定的運(yùn)作效能,使此裝置可用于更廣泛的應(yīng)用范圍。例如,它支持所有ISM頻段應(yīng)用,包括智能電網(wǎng)、智能電表及家庭局域網(wǎng)絡(luò)(HAN)應(yīng)用。

另外,由于此晶體管是為了微波應(yīng)用而開(kāi)發(fā)的,因此瑞薩電子提供業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)的4-pin薄型迷你模型封裝(瑞薩電子封裝名稱(chēng):M04封裝)。因此,此產(chǎn)品有助于減少使用者終端產(chǎn)品的制造步驟,例如由于現(xiàn)有封裝的良好記錄,可簡(jiǎn)化安裝評(píng)估程序,或者使用現(xiàn)有的電路板線(xiàn)路圖,僅需稍微修改周?chē)碾娐贰?br />
在利用上述新制程的優(yōu)勢(shì),擴(kuò)充其具有業(yè)界最高水平低噪聲效能的雙極晶體管產(chǎn)品線(xiàn)的同時(shí),瑞薩電子亦承諾將此新制程部署至微波IC的開(kāi)發(fā),并進(jìn)一步提供此領(lǐng)域的解決方案,以響應(yīng)市場(chǎng)需求。
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