【導(dǎo)讀】幸好,有一種全新的無光耦反激式DC-DC轉(zhuǎn)換器解決方案,可省去光耦合器和相關(guān)反饋電路,并且無需使用第三變壓器繞組。新解決方案還帶來了新的輸出電壓精度基準(zhǔn)。
簡(jiǎn)介
出于安全原因或?yàn)榱舜_保復(fù)雜系統(tǒng)正常工作,我們有時(shí)需要使用隔離式DC-DC解決方案。傳統(tǒng)的隔離解決方案會(huì)使用光耦合器和附加電路,或者復(fù)雜的變壓器設(shè)計(jì),以形成跨越隔離柵的反饋環(huán)路,從而調(diào)節(jié)輸出電壓。各種附加元件使設(shè)計(jì)變得復(fù)雜而龐大。光耦合器會(huì)隨著時(shí)間的推移而退化,降低系統(tǒng)的可靠性。此外,終端設(shè)備的外形尺寸越來越小,給電源所留的空間很有限,增加了散熱管理的難題。在開始新的隔離式DC-DC設(shè)計(jì)時(shí),系統(tǒng)工程師必須解決所有這些難題。系統(tǒng)工程師需要一種體積小、成本低、高度可靠且易于設(shè)計(jì)的解決方案。現(xiàn)在,您可以使用無光耦解決方案簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)并縮小解決方案尺寸。
在什么情況下使用隔離式DC-DC轉(zhuǎn)換器?為什么?
各行各業(yè)(比如工廠自動(dòng)化、樓宇自動(dòng)化、電動(dòng)汽車、汽車電子、航空電子、醫(yī)療設(shè)備、商業(yè)設(shè)備等)中的許多電力系統(tǒng)都會(huì)采用隔離式DC-DC轉(zhuǎn)換器,原因有三:
安全:防止浪涌電流損壞設(shè)備并防止人員受到主電源的傷害。圖1顯示了一個(gè)主電源與次級(jí)隔離的電力系統(tǒng),其中操作人員可能會(huì)接觸到次級(jí)。如果沒有適當(dāng)?shù)陌踩綦x措施,發(fā)生雷擊時(shí),極高的浪涌電壓可能會(huì)通過設(shè)備沖擊操作人員和地面。其后果幾乎是致命的。此處的隔離柵可以將危險(xiǎn)的浪涌能量引回主接地,防止其流向操作人員。
圖1.安全隔離。
避免形成接地環(huán)路:在大型或復(fù)雜系統(tǒng)中,不同區(qū)域會(huì)存在接地電位差。此處通過隔離來避免形成破壞性的接地環(huán)路,并將數(shù)字噪聲與精密模擬系統(tǒng)隔離。
圖2.通過隔離避免形成接地環(huán)路。
電平轉(zhuǎn)換:有時(shí),許多電源軌混合組成的系統(tǒng)會(huì)使用隔離式DC-DC轉(zhuǎn)換來生成多個(gè)隔離正向和/或負(fù)向輸出電壓。
圖3.電平轉(zhuǎn)換隔離。
隔離式DC-DC轉(zhuǎn)換器基本原理
圖4顯示了一個(gè)傳統(tǒng)的隔離式DC-DC轉(zhuǎn)換器。該解決方案使用光耦合器、誤差放大器和基準(zhǔn)電壓源來構(gòu)成一個(gè)跨越隔離柵的反饋環(huán)路。在此實(shí)現(xiàn)方案中,輸出電壓通過誤差放大器進(jìn)行檢測(cè),然后將其與基準(zhǔn)電壓進(jìn)行比較。信息通過光耦合器傳送到隔離柵另一側(cè)的主面,主面的控制電路對(duì)功率級(jí)進(jìn)行調(diào)制以調(diào)節(jié)輸出電壓。
圖4.使用光耦合器和相關(guān)反饋電路的傳統(tǒng)隔離式DC-DC轉(zhuǎn)換器。
這種解決方案一直都能很好地發(fā)揮其作用,但隨著設(shè)備尺寸逐漸縮小,導(dǎo)致其幾乎沒有容身之地。光耦合器、誤差放大器和基準(zhǔn)電壓電路共有12個(gè)元件,大大增加了總設(shè)計(jì)元件數(shù),并占用很大的電路板空間(圖5)。大家自然希望能省去這種電路。
圖5.使用光耦合器、誤差放大器和基準(zhǔn)電壓源的傳統(tǒng)反饋電路。
光耦合器還面臨另一個(gè)大問題:其性能會(huì)隨溫度變化,并隨著時(shí)間推移而下降,從而導(dǎo)致某些應(yīng)用出現(xiàn)可靠性問題。圖6顯示了典型光耦合器的電流傳輸比(CTR),在-60°C至+120°C溫度范圍內(nèi)其變化率達(dá)270%1。除此之外,此CTR還會(huì)隨著時(shí)間的推移下降30%至40%2,3,4。
圖6.光耦合器集電極電流與環(huán)境溫度的關(guān)系。1
省去光耦合器
主面控制拓?fù)洌河幸环N省去光耦合器的方式是采用主面控制法。在此方案中,電源隔離變壓器上的第三繞組用于在"關(guān)斷"周期內(nèi)間接測(cè)量輸出電壓。圖7顯示了這種電路。反射電壓VW與輸出電壓成正比,公式如下:
其中VO是輸出電壓,VF是輸出整流二極管壓降,Na是第三繞組匝數(shù),NS是次級(jí)繞組匝數(shù)。
圖7.使用第三繞組的主面控制。
雖然這種方法可以有效地省去光耦合器,但卻產(chǎn)生了一系列新問題:
(a) 添加第三繞組會(huì)使變壓器的設(shè)計(jì)和構(gòu)造更復(fù)雜,增加更多成本。
(b) 反射電壓與輸出整流二極管電壓VF相關(guān)。此外,VF會(huì)隨負(fù)載和溫度而變化。這會(huì)導(dǎo)致檢測(cè)的輸出電壓出現(xiàn)誤差。
(c) VW上的漏感振鈴會(huì)進(jìn)一步增加檢測(cè)輸出電壓的讀數(shù)誤差。
這種主面控制法提供的輸出電壓調(diào)節(jié)性能不佳,因此在許多應(yīng)用中并不實(shí)用,迫使設(shè)計(jì)人員使用后置穩(wěn)壓器,這會(huì)增加更多成本,并增大總體解決方案的尺寸。
無光耦反激式拓?fù)洌簾o光耦反激式DC-DC轉(zhuǎn)換器是主面控制法的一種變化形式。這種方式通過直接檢測(cè)主面電壓避免了上述問題(a),所以無需使用電源變壓器中的第三繞組。這一改進(jìn)顯著降低了變壓器設(shè)計(jì)和構(gòu)造的復(fù)雜性,并且簡(jiǎn)化了PCB布局。圖8描述了這種拓?fù)洹?/p>
圖8.無光耦反激式電路。
反射電壓VP與輸出電壓成正比,公式如下:
其中VO是輸出電壓,VF是輸出整流二極管壓降,NP是初級(jí)繞組匝數(shù),NS是次級(jí)繞組匝數(shù)。
無光耦反激式拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)并不新鮮,而它仍然受困于上述其他兩個(gè)問題(b)和(c)。此例中(c)對(duì)應(yīng)的不是VW,而是VP上的漏感振鈴。對(duì)于這種無光耦反激式電路,輸出電壓調(diào)節(jié)性能不佳仍然是嚴(yán)峻的技術(shù)挑戰(zhàn)。
所幸,近來的電路設(shè)計(jì)發(fā)展和專有技術(shù)有效地改善了這一瓶頸問題。我們來仔細(xì)看看!
克服輸出電壓調(diào)節(jié)不佳的問題
圖9顯示了MAX17690,它提供一種無光耦反激隔離式DC-DC轉(zhuǎn)換器解決方案,輸出電壓調(diào)節(jié)精度達(dá)±5%
圖9.無光耦反激式電路實(shí)現(xiàn)新的輸出電壓調(diào)節(jié)基準(zhǔn)。
為了消除檢測(cè)輸出電壓的讀數(shù)誤差,MAX17690在次級(jí)電流ISEC較低時(shí)對(duì)反射電壓進(jìn)行采樣。此技術(shù)可減緩由輸出負(fù)載引起的二極管壓降變化。這款I(lǐng)C還具有補(bǔ)償二極管電壓及其隨溫度變化的功能。另外還采用先進(jìn)技術(shù)來濾除漏感振鈴??傊@款I(lǐng)C為無光耦反激式拓?fù)鋷砹诵碌妮敵鲭妷赫{(diào)節(jié)基準(zhǔn)。
圖10顯示的變體MAX17691還集成了功率FET和電流檢測(cè)元件,因此僅需極少外部元件即可構(gòu)建完整電路。它以一種非常簡(jiǎn)單的形式提供了高性能的隔離式DC-DC轉(zhuǎn)換器解決方案。
圖10.高度集成的無光耦反激式解決方案。
MAX17690和MAX17691都能實(shí)現(xiàn)很好的輸出電壓調(diào)節(jié)。圖11顯示了它們?cè)诓煌瑴囟?、線路和負(fù)載條件下的性能。
圖11.MAX17690/MAX17691輸出電壓調(diào)節(jié)。新基準(zhǔn)!
結(jié)論
設(shè)備和電路板空間越來越小,導(dǎo)致使用光耦合器構(gòu)建反饋環(huán)路的傳統(tǒng)大尺寸隔離式DC-DC轉(zhuǎn)換器逐漸失去其實(shí)用價(jià)值。此外還有另一道阻礙,光耦合器的性能會(huì)隨溫度變化并隨著時(shí)間的推移而下降。無光耦反激式拓?fù)涓?jiǎn)單,需要的外部元件更少,自然是更好的選擇。設(shè)計(jì)技術(shù)的創(chuàng)新改進(jìn)顯著提高了輸出電壓調(diào)節(jié)性能,使無光耦反激式DC-DC轉(zhuǎn)換器具有實(shí)用性,成為隔離電源應(yīng)用的正確選擇。
參考資料
1"光耦合器、光電晶體管輸出、低輸入電流、SSOP-4、半間距、小型扁平封裝"。Vishay Intertechnology, Inc. 2023年1月。
2"Vishay光耦合器應(yīng)用筆記,文檔編號(hào):80059"。Vishay Intertechnology, Inc. 2008年1月。
3"晶體管耦合器的基本特性和應(yīng)用電路設(shè)計(jì)"。Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation,2018年。
4T. Bajenesco。"光耦合器的CTR退化和老化問題。" 第四屆固態(tài)和IC技術(shù)國際會(huì)議論文集,1995年10月。
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