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淺談ROM、RAM、DRAM、SRAM和FLASH的區(qū)別
ROM和RAM指的都是半導體存儲器,ROM是Read Only Memory的縮寫,RAM是Random Access Memory的縮寫。ROM在系統(tǒng)停止供電的時候仍然可以保持數(shù)據(jù),而RAM通常都是在掉電之后就丟失數(shù)據(jù),典型的RAM就是計算機的內(nèi)存。
2017-07-26
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如何降低DDR4系統(tǒng)功耗?PSOD輸出藏貓膩
DDR4是JEDEC組織關(guān)于DRAM器件的下一代標準。DDR4主要是針對需要高帶寬低功耗的場合。這些需求導致了DDR4芯片引入了一些新的特點,這些新的特點,導致在系統(tǒng)設(shè)計中,引入一些新的設(shè)計需求。
2017-03-24
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DRAM與NAND差別這么大,存儲之爭在爭什么?
DRAM(Dynamic Random Access Memory),即動態(tài)隨機存取存儲器,最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時間。為了保持數(shù)據(jù),DRAM使用電容存儲,所以必須隔一段時間刷新(refresh)一次,如果存儲單元沒有被刷新,存儲的信息就會丟失。
2017-03-22
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專家支招:克服內(nèi)存尺寸縮小中的電阻挑戰(zhàn)
隨著內(nèi)存尺寸的不斷縮小,歐姆接觸區(qū)的面積在每一個技術(shù)節(jié)點都縮小70%左右,而其深寬比則不斷增加,為了達到歐姆接觸,沉積出低電阻率的硅化鈷尤為重要。本文介紹兩個DRAM尺寸縮小的全新解決方案。
2016-10-25
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DDR1、DDR2、DDR3、DDR4、SDAM內(nèi)存各有千秋,哪里不同?
在嵌入式系統(tǒng)中有各種不同種類的內(nèi)存,它們在系統(tǒng)中發(fā)揮著不可或缺的作用。但是不同種類的內(nèi)存發(fā)揮的作用也不同。本文主要講述的是DDR4,DDR3,DDR2,DDR1及SDRAM等內(nèi)存之間的相同點和不同點,及其在嵌入式系統(tǒng)中發(fā)揮的作用。
2015-09-02
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專家分享:DDR3多端口讀寫存儲系統(tǒng)用FPGA如何設(shè)計?
由于FPGA具有強大邏輯資源、豐富IP核等優(yōu)點,基于FPGA的嵌入式系統(tǒng)架構(gòu)是機載視頻圖形顯示系統(tǒng)理想的架構(gòu)選擇。本文以Kintex-7系列XC7K410T FPGA芯片和兩片MT41J128M16 DDR3 SDRAM芯片為硬件平臺,設(shè)計并實現(xiàn)了基于FPGA的視頻圖形顯示系統(tǒng)的DDR3多端口存儲管理。
2015-03-16
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電路技術(shù)詳解:SDRAM電路設(shè)計
什么是SDRAM,SDRAM電路的設(shè)計原理是什么?在了解SDRAM電路設(shè)計時應先從哪里開始入手呢?本文將從這幾個方面詳細深度的為大家講解SDRAM電路設(shè)計。
2015-03-07
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EMC總工手把手教你選磁珠
磁珠專用于抑制信號線、電源線上的高頻噪聲和尖峰干擾,還具有吸收靜電脈沖的能力。在用來吸收超高頻信號,像一些RF電路,PLL,振蕩電路,含超高頻存儲器電路如DDR、SDRAM、RAMBUS等中都需要在電源輸入部分加磁珠。那么我們應該如何選擇合適的磁珠呢?請耐心往下看。
2015-02-05
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e絡盟推出全新樹莓派2代B型板,可運行更強大復雜的開發(fā)項目
e絡盟近日宣布推出全新第二代樹莓派。采用了900MHz的四核ARM Cortex-A7處理器(性能是前代的6倍以上),1GB的LPDDR2 SDRAM(內(nèi)存提升兩倍),并完美兼容第一代樹莓派。因為采用了ARMv7處理器,所以能夠運行所有ARM GNU/Linux分支版本,包括Snappy Ubuntu Core和微軟的Windows 10系統(tǒng)。
2015-02-03
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安捷倫推出 ADS DDR4 一致性測試平臺
安捷倫科技公司日前推出ADS先進設(shè)計系統(tǒng) DDR4 一致性測試平臺,為工程師提供從仿真設(shè)計到測量原型產(chǎn)品的完整工作流程。無論是開發(fā) DDR 控制器 IP 的半導體公司、開發(fā) DRAM 芯片和 DIMM 的存儲器廠商,還是應用 PCB 技術(shù)對控制器和 DIMM 實施系統(tǒng)集成的原始設(shè)備制造商(OEM),現(xiàn)在都可以從這款最佳解決方案中獲得豐厚回報。
2014-07-07
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最新BGA內(nèi)插器結(jié)合速度最快的邏輯分析儀進行DDR4探測
安捷倫日前宣布推出兩款內(nèi)插器解決方案,可結(jié)合邏輯分析儀用于測試 DDR4 和 DDR3 DRAM 設(shè)計。這兩款內(nèi)插器解決方案均能快速且精確地捕獲地址、命令和數(shù)據(jù)信號,以進行設(shè)計調(diào)試和驗證測量。
2014-05-19
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高可靠性DRAM系列產(chǎn)品陣容新增128M/256M bit SDRAM功能
ROHM集團旗下的LAPIS Semiconductor,作為高可靠性 DRAM系列產(chǎn)品,新開發(fā)出搭載輸出驅(qū)動能力調(diào)節(jié)功能的128M bit SDRAM“MD56V72160C”/256M bit SDRAM“MD56V82160A”。本LSI搭載了4級輸出驅(qū)動能力調(diào)節(jié)功能,可根據(jù)用戶系統(tǒng)調(diào)節(jié)電流驅(qū)動能力,降低輻射噪聲,從而可減少噪聲對策零部件與阻尼電阻元件的數(shù)量。
2014-03-05
- 數(shù)字儀表與模擬儀表:它們有何區(qū)別?
- 基于APM32F411的移動電源控制板應用方案
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- 貿(mào)澤電子、Silicon Labs和Arduino聯(lián)手贊助2024 Matter挑戰(zhàn)賽比賽現(xiàn)已開放報名
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